压缩包内是C#程序,控制台直接调用EXE并获得MOS值。 PESQ(Perceptual evaluation of speech quality) 即:客观语音质量评估。 ITU-T P.862建议书提供的客观MOS值评价方法。 ViSQOL是人类对语音质量下降的敏感性模型。它将参考信号与降级的测试信号进行比较,输出是普通人感知的语音质量预测。ViSQOL能够在一定范围的背景噪声以及一定范围的语音增强条件下估计语音质量。它是基于信号的全参考侵入式度量标准,它使用参考和测试语音信号之间的相似度的光谱时间度量来模拟人类语音质量感知。
2023-03-08 11:57:16 1.64MB mos PESQ Visqol
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MOS管双电机驱动原理图
2023-03-03 17:17:59 731KB 电机驱动 原理图
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开关电源上MOS管的选择方法pdf,开关电源上MOS管的选择方法
2023-03-03 16:43:54 363KB 开关电源
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对于一位开关电源工程师来说,在一对或多对相互对立的条件面前做出选择,那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小)
2023-03-02 23:44:15 65KB 开关|稳压
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MOS 管 搭的H桥电机驱动,很稳定,驱动能力很强
2023-02-20 18:05:25 924KB MOS 管H桥
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FPGA从0到1学习资料集锦(开发指南+电路图集+例程源码) MOS管驱动电路设计秘籍(工作原理+电路设计+问题总结)
2023-02-18 17:00:55 7.5MB fpga
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芯片资料是完整介绍了芯片的性能,功耗,封装,还有应用实例。
2023-02-13 20:01:55 669KB 芯片 mos PWM
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自驱动同整流器并探讨何时需要分立驱动器来保护同步整流器栅极免受过高电压带来的损坏。理想情况下,您可以利用电源变压器直接驱动同步整流器,但是由于宽泛的输入电压变量,变压器电压会变得很高以至于可能会损坏同步整流器。
2023-01-16 01:30:12 122KB MOS|IGBT|元器件
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随着时间的推移,功率晶体管技术得到了持续的改善。器件的体积不断缩小,功率密度越来越高。在电压高于1kV的大功率晶体管方面,双极结构已成为首选;低于1kV电压,特别是频率高于100kHz时,更多采用的是MOSFET。高于此电压的大电流应用则选择IGBT。
2022-12-26 21:51:19 146KB MOS|IGBT|元器件
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MOSFET的跨导gm和输出电导gds L0 * 根据MOSFET的跨导 gm的定义为: MOSFET I-V特性求得 MOSFET的优值:
2022-12-09 11:09:12 969KB ic 微电子
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