摘要：在我们的研究中，我们使用通过低压金属有机化学气相沉积在半绝缘、Cr 掺杂、取向的 GaAs 衬底上生长的 InGaP 层。AsH3、PH3、TMGa（三甲基镓）和TMin（三甲基铟）分别用作As、P、Ga 和In 的来源。氢气用作载气，反应器中的总压力为5kPa。外延层在 560°C 下制备，生长速率为 0.6 µm/hr。层的厚度范围从 0.36 到 0.70 µm。各层的标称组成为 In0.485Gao.mP。
2021-06-28 17:04:04
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介绍微波集成电路的各类元器件在基板上的制作，适合于新手，当然多看英文的资料有利于以后的开发，容易入门。
2021-06-14 14:45:57
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2020-2025年中国GaAs、GaN材料行业发展趋势预测与发展战略咨询报告.pdf
2021-04-27 13:05:18
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2020-2025年中国GaAs、GaN材料行业市场深度调研及前景趋势预测报告.pdf
2021-04-27 13:05:18
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2020-2025年中国GaAs、GaN材料行业市场投资机会分析报告.pdf
2021-04-27 13:05:17
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2020-2025年中国GaAs、GaN材料行业投资机会与风险防范措施研究报告.pdf
2021-04-27 13:05:17
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2020-2025年中国GaAs、GaN材料行业发展趋势预测与发展战略咨询报告.pdf
2021-03-08 18:02:44
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详细地介绍了计算线宽展宽因子(α因子)的理论基础及推导过程,建立了α因子的简便模型.该模型分别考虑了带间跃迁、带隙收缩和自由载流子效应对α因子的影响,利用不同载流子浓度下的增益曲线得到光子能量随载流子浓度的变化速率以及微分增益,进而对α因子进行近似计算.模拟计算了InGaAs/GaAs量子阱激光器的增益曲线及α因子的大小,计算结果与文献报道的实验值相符.进一步讨论了InGaAs/GaAs量子阱阱宽及In组分对α因子的影响.结果表明,α因子随In组分和阱宽的增加而增加.
2021-03-05 14:07:19
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