摘要:本文介绍使用Cypress的PSoC3 UDB实现对异步SRAM的读写控制,并以CY7C1069AV33 SRAM为例介绍其软硬件设计过程。   1, 概述   Cypress PSoC3使用基于单循环流水线的高性能8051内核 (67MHz/33MIPS),提供业界广泛采用的5.5V至0.5V电压范围和低至200nA的休眠电流,可以满足极低功耗的应用场合。PSoC3的高性能模拟子系统和数字系统都拥有可编程通路,允许将任何模拟或数字信号(包括可编程时钟)分配到任何通用I/O引脚,这为使用者提供了真正的"系统级"可编程能力。   PSoC3中SRAM的容量为12KB(3个4KB块),
2022-12-19 13:56:05 831KB 基于PSoC3 UDB的异步SRAM读写控制
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是林美华老师的学生,就直接冲! RAM的实验内容: 7.某机器中,已知配有一-个地址空间为0000H~ 3FFFH的ROM区域。现在再用一个RAM芯片(8Kx 8)形成40Kxl6位的RAM区域,起始地为6000H。假设RAM芯片有cs和WE信号控制端。CPU的地址总线为A15~Ao,数据总线为D15~Do,控制信号为R/W (读/写), MREQ (访存),要求: (1)画出地址译码方案。 (2)将ROM与RAM同CPU连接。 (1)由于RAM芯片的容量是8Kx8,要构成40K*16的RAM区域,共需要40K x16_=5x 2=10片 分为5组,每组2片; 8K=213,故低位地址为13位: A12 8Kx8 每组的2片位并联,进行字长的位扩展 有5组RAM芯片,故用于组间选择的译码器使用3:8译码器,用高3位地址A15~A13作译码器的选择输入信号 注:RAM1~RAM5各由2片8K×8芯片组成,进行字长位扩展 各芯片组内部的单元地址是A12~Ao由全0到全1
2022-12-02 19:02:16 381KB RAM SRAM multisim 实验内容
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目前星载信号处理平台中大量使用商用芯片,但商用芯片抗辐射能力较弱,在空间环境下常出现单粒子翻转(Single Event Upset,SEU),从而造成系统功能紊乱,甚至中断。提出以星载信号处理平台中大量使用的SRAM型FPGA为研究对象,采用故障注入的方式研究FPGA中不同硬件资源对于SEU效应的敏感性问题。根据不同资源对SEU效应表现出不同敏感性的结论,可在SRAM型FPGA的抗SEU防护上进行有针对性的设计。
2022-11-29 17:31:51 458KB 单粒子翻转
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针对大规模集成电路在空间环境的应用需求,介绍了目前国内外针对FPGA的抗辐射加固的研究现状,对空间辐射和单粒子效应进行了简单描述,分析了SRAM型FPGA的结构和故障特点,提出了一种基于高可靠单元针对Xilinx Kintex-7系列FPGA进行配置、监控、回读校验和刷新的单粒子翻转加固硬件平台设计。介绍了对Kintex-7系列FPGA进行防护的流程和故障注入测试系统的组成,该平台已经在某项目中得到应用并通过了功能测试和相关环境试验,为大规模集成电路在空间应用提供了设计参考。
2022-11-29 09:15:05 267KB 单粒子效应
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8-port sram memory cell, with 8 write or 16 reads simutaneously
2022-11-24 21:27:39 3.84MB sram memory
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18nm SRAM 网表,自动求出SNM,包含仿真结果和报告
2022-11-07 15:22:23 173KB SRAM SPICE/SRAM自动求SNM
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DDR技术和HSTL电平标准是近年来出现的高速数据传输技术,结合实际课题探讨应用了这两种技术的DDR SRAM器件的具体使用。
2022-11-03 10:54:34 256KB DSP
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DSP28335外部 SRAM 访问实验CCS工程
2022-10-20 21:25:19 634KB 嵌入式硬件 单片机 dsp28335
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实现了对Lattice的CPLD在线加载,通过SSPI接口进行下载,使用此功能需要预先开启CPLD的Slave_SPI接口,才能正确的加载版本。代码只能加载到CPLD的SRAM中,断电则代码丢失
2022-10-08 15:39:13 6KB lattice CPLD SSPI_在线更新 加载SRAM
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lpc29xx外部SRAM驱动源代码,开发环境IAR
2022-09-20 19:01:03 12KB sram