用于静电除尘器的大功率全桥逆变器的新型IGBT控制和驱动电路

提出了一种新型无源无损软开关全桥逆变器拓扑，并分析了该电路的工作原理，得出了其软开关工作条件。理论分析显示，此电路可以用较少元件实现桥臂四个有源开关器件的零电流开通与零电压关断，并且零电压电容上的能量直接回馈给负载、原理简单、效率较高，同时具有无源无损软开关功能、成本低、可靠性高和不用附加控制电路等优点。在理论分析的基础上，对所提出的电路进行了仿真和实验，仿真和实验结果都验证了理论分析的正确性。

采用 SPWM 技术开发的 15 电平 H 桥逆变器控制。

对单相全桥逆变电路进行讲解，对晶闸管、MOSFET、IGBT基础器件以及主电路工作原理进行讲解。对单相全桥逆变电路进行讲解，对晶闸管、MOSFET、IGBT基础器件以及主电路工作原理进行讲解

带负载电流前馈的双闭环单相全桥逆变器PSIM仿真，内环为电感电流环，外环为输出电压环，均为瞬时值反馈，带负载电流前馈补偿。逆变器额定功率10kW，输出电压有效值220V，THD为0.17%，负载功率因数为0.8。如果不懂原理，可以观看我写的文章《单相全桥逆变器带负载电流前馈的双闭环控制系统设计及仿真》，里面有详细的建模和设计过程。

该仿真文件是使用 IGBT/二极管的单相全桥逆变器。 T2、T2导通（触发）时负载电压为Vs，T3、T4导通时负载电压为-Vs。 输出电压的频率可以通过改变周期时间 T 来控制。 晶闸管T1、T2跨源串联； 晶闸管 T1、T4 或 T3、T4 也串联在源极上。 逆变器运行时，应确保同一支路中的两个可控硅，如图中的T1、T2，不要同时导通，否则会导致电源直接短路。 半桥逆变器的主要缺点是它需要 3 线直流电源。 这个困难可以通过使用全桥逆变器来克服。

基于STM32的全桥逆变器的设计.pdf

根据输出频率，决定 MOSFET 的导通时间和关断时间，并产生栅极脉冲。 我们需要 50Hz 的交流电源，因此一个周期 (0 < t < 2π) 的时间周期为 20 毫秒。 如图所示，MOSFET-1 在前半个周期 (0 < t < π) 被触发，在此期间 MOSFET-2 未被触发。 在此时间段内，电流将沿箭头方向流动，如下图所示，完成交流输出的半个周期。 来自负载的电流从右到左，负载电压等于+Vdc/2。在后半周期（π < t < 2π），MOSFET-2 被触发，较低的电压源与负载连接。 来自负载的电流从左到右方向，负载电压等于 -Vdc/2。 在这段时间内，电流将如图所示流动，交流输出的另一半周期完成。 半桥逆变器在 MATLAB 中的仿真 对于仿真，在来自 Simulink 库的模型文件中添加元素。 1) 2 个直流电源 – 每个 50V 2) 2 个 MOSFET 3

采用 SPWM 技术开发的五电平 H 桥逆变器控制。

带负载电流前馈的双闭环单相全桥逆变器Simulink仿真，内环为电感电流环，外环为输出电压环，均为瞬时值反馈，带负载电流前馈补偿。逆变器额定功率10kW，输出电压有效值220V，THD为0.17%，负载功率因数为0.8。如果不懂原理，可以观看我写的文章《单相全桥逆变器带负载电流前馈的双闭环控制系统设计及仿真》，里面有详细的建模和设计过程。