关于生成对抗GAN的干货都在这里了。
2023-04-23 15:46:47 12.63MB 深度学习 生成对抗
1
毕业设计选题系统的源码使用 GAN 隐藏数据 注意:我的英语是bab,所以如果我使用了错误的单词或错误的语法,请忽略。 这是我的毕业论文。 我有两个文档指南。 README.md 中的一个(你正在阅读的这个文件)是英文写的, Vietnam.md是越南文写的。 该项目基于和。 所有副本都需要遵循以上报价! 一、总结 在查看了 之后,我决定构建一个界面,供用户更直观地操作。 整个项目在linux操作系统- Ubuntu 18.04上进行,硬件配置为Intel i5 8th Gen CPU,12G RAM。 GeForce MX 130 GPU,2G 内存。 二、 界面使用指南 该接口由 Tkinter 库编写。 1.搭建环境 项目中使用的环境由Anaconda创建。 您可以在链接中下载并安装它 $ cd Data-Hidding-Using-GAN/ $ conda create -n myenv python=3.6 $ conda activate myenv $ pip install -r requirements.txt 2. 改变工作路径 在文件 main.py 的第 471
2023-04-23 15:42:46 55.3MB 系统开源
1
绘画GANs_DL_proj2 在这里,我们将创建将照片转换成莫奈风格绘画的GAN
2023-04-19 10:57:26 81.02MB Python
1
CNN-generated images are surprisingly easy to spot... for now论文中的权重
2023-04-07 11:34:37 269.36MB python GAN 神经网络 对抗网络
1
使用PyTorch构建GAN生成对抗网络源码 博客文章中包含了每行代码的详解,自行查看即可
2023-04-03 20:24:21 6KB PyTorch 深度学习
1
HP-GAN:通过 GAN 进行概率 3D 人体运动预测 此 repo 实现了 HP-GAN 论文 ( ) 背后代码的更新版本。 依赖关系 TensorFlow 1.8 h5py 枕头 麻木的 电影 数据集 我们使用来自 NTU-RGBD 和 Human 3.6m 数据集的 3D 骨架数据来训练 HP-GAN: NTU-RGBD: //rose1.ntu.edu.sg/datasets/actionrecognition.asp 人类 3.6m: : 对于 Human 3.6m,我们使用了 h5 格式和来自解析代码 准备数据 读取器获取一个 CSV 文件,其中包含骨架文件的实际路径、活动 ID 和主题 ID。 要生成这些CSV文件,请对ntu数据集调用以下命令: python split_ntu_data.py -i /nturgb+d_skeletons
2023-03-19 14:39:49 209KB Python
1
训练12小时后512x512鲜花,1 gpu 训练12小时后256x256朵鲜花,1 gpu 比萨 ``轻巧''GAN 在Pytorch的ICLR 2021中提出的实现。 本文的主要贡献是发生器中的跳层激励,以及鉴别器中的自动编码自监督学习。 引用单行摘要“在经过数小时培训的情况下,可以在1024 g分辨率的数百张图像上融合在单个gpu上”。 安装 $ pip install lightweight-gan 使用 一个命令 $ lightweight_gan --data ./path/to/images --image-size 512 每隔1000次迭代,模型将保存到./models/{name} ,模型中的样本将保存到./results/{name} 。 name将是default ,默认情况下。 训练设定 深度学习从业人员的自我解释能力很强 $ lightweight_ga
1
PASTA-GAN_fullbody_model pretrained model (512x320) network-snapshot-005010.pkl
2023-03-15 12:38:11 480.54MB PASTA-GAN
1
实现使用GAN进行纹理合成的代码
2023-03-14 21:17:07 26.34MB Python开发-机器学习
1
本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程,针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理,提出了一种降低表面电场,提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构。新结构通过在极化的AlGaN层中引入分区负电荷,辅助耗尽二维电子气,有效降低了引起器件击穿的栅极边缘高电场,并首次在漏极附近引入正电荷使漏端高电场峰降低。利用仿真软件ISE分析验证了AlGaN/GaN HEMTs器件具有的“虚栅”效应,通过电场和击穿特性分析获得,新结构使器件击穿电压从传统结构的257V提高到550 V。
2023-03-14 16:49:23 1.52MB AlGaN/GaN HEMTs 击穿电压 RESURF
1