最新的无线终端产品大多数都装备了高速数据接口、高分辨率LCD屏和相机模块，甚至有些手机还安装了通过DNB连接器接收电视节目的功能。除增加新的功能外，手机尺寸的挑战依然没有变化，手机还在向小巧、轻薄方向发展。众多功能汇聚在一个狭小空间内，导致手机设计中的ESD和EMI问题变得更加严重。这些问题必须在手机设计的最初阶段解决，并需要按照应用选择有效的解决办法。本文将和大家探讨新一代手机设计中的EMI抗干扰和ESD保护问题。

在对MAX2140 SDARS接收器进行热插拔操作(接通电源或断开电源)时,可能使其内部静电放电(ESD)保护二极管失效,热插拔不是该器件的标准操作。但这种情况会发生在很多应用中,尤其是在汽车工业中,经常会进行热插拔的操作。本文分析了热插拔操作可能造成ESD二极管失效的原因,并帮助设计合理的电路来预防二极管的失效。

ESD试验作为EMC测试标准的一项基本测试项目，如果产品的前期设计考虑不足，加上经验不够的话，往往会让人焦头烂额。一般中小型企业，如果没有专门的EMC工程师，往往这项工作就必须由硬件工程师来承担。对于整机来说，ESD抗扰能力不仅仅来自芯片的ESD耐压，PCB的布局布线，甚至与工艺结构也有密切关系。

汽车已经摆脱了纯粹代步工具的地位，从单一功能走向了多功能之路，汽车系统年复一年不断趋向成熟，汽车系统防护方案的设计和防护器件也是严格按照ISO 7637在内的各类标准来选型。

PL2303TA.HXD.RA.EA.SA停产通知：到2019年底，将淘汰（EOL）全速USB转串行桥控制器的五个高产旧版本。可以用新PL2303G系列产品代替它。请最后一次订购时间为2020年6月。最后一次发货将在2020年末安排。 新的PL2303GE芯片是流行的PL2303 USB转串口（UART）桥接控制器系列中新增的最新G系列IC产品，取代了具有ESD保护功能的PL2303EA芯片。 它提供了先进的全功能单芯片桥解决方案，用于将全双工UART异步串行接口设备连接到任何支持通用串行总线（USB）的主机。 PL2303GE提供了强大的USB驱动程序，可以在大多数操作系统上模拟传统的COM端口（通过虚拟COM端口），从而使基于传统COM端口的现有串行UART应用程序可以轻松迁移并支持USB。

KF8A100EOG-ESD-DSD-DTD数据手册V1.1

SONY索尼CDP-338ESD维修手册,网上找来的希望对有用得上的朋友下载,

This method establishes a standard procedure for testing and classifying microcircuits according to their susceptibility to damage or degradation by exposure to a defined electrostatic Human Body Model (HBM) discharge (ESD). The objective is to provide reliable, repeatable HBM ESD test results so that accurate classifications can be performed.

公交车调度模型的matlab代码高保真_ESD_PC 生产成本核算模型中的高保真储能调度 这个基于MATLAB的工具是Trishna Das博士和Venkat Krishnan博士（）在爱荷华州立大学的研究工作中与James D. McCalley教授共同开发的。 Venkat Krishnan博士目前在国家可再生能源实验室（）工作。 这是与能量存储调度模型集成的生产成本核算（PC）程序。 master分支包含用于执行2天（48小时）生产成本模拟的代码和数据。 将优化问题表述为网络流量优化问题，并且数据文件（nodesinitial.txt和arcsinitial.txt）对IEEE 24总线修改的RTS系统的各个节点和弧进行建模。 用户可以以与PC型号相似的格式提供任何其他系统数据。 master分支还包含许多文件夹，其中包含基本PC代码的各种版本，这些文件夹可用于执行许多其他分析。 他们包括： 可以执行年模拟（即依次运行182个2天模拟）的代码和相关数据的文件夹，以及 用于5天经济分配的2天PC模拟的另一个文件夹。 其中一个文件夹还包含创建框架的代码，该框架可用于在网格中执行能源存

静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）是构成集成电路可靠性的主要因素之一，存在于生产到使用的每一个环节，并成为开发新一代工艺技术的难点之一，近年来，对ESD的研究也因而越来越受到重视，仿真工具在ESD领域的应用使得ESD防护的研究变得更为便利，可大幅缩短研发周期.   然而，由于ESD现象复杂的物理机制，极端的电场及温度条件，以及ESD仿真中频繁的不收敛现象，都使得FSD的仿真变得极为困难本文详细阐述了ESD的来源、造成的危害以及如何测试集成电路的防静电冲击能力，并基于 Sentaurus软件，对ESD防护器件展开了的分析、研究，内容包括   1）掌握ESD保护的基本理论、测试方法和防护机理 2）研究了工艺仿真流程的步骤以及网格定义在工艺仿真中的重要性，并对网格定义的方法进行了探讨 3）硏究了器件仿真流程以及器件仿真中的物理模型和模型函数，并对描述同一物理机制的的各种不同模型展开对比分析.主要包括传输方程模型、能帶模型、各种迁移率退化模型、雪崩离化模型和复合模型 4）研究了双极型晶体管和可控硅（Silicon Controlled rectifier，SCR）防护器件的仿真，并通过对仿真结果的分析，研究了ESD保护器件在ESD应力作用下的工作机理.