功率半导体下游应用广泛，基本上涉及到电力系统的地方都会使用功率器件。下游应用领域主要可分为几大部分： 消费电子、新能源汽车、可再生能源发电及电网、轨道交通、白色家电、工业控制，市场规模呈现稳健增长态势。 基于不同应用场景所对应的功率和频率，人们选择使用相应的功率器件和基材。功率半导体器件从早期简单的二极管逐渐向高性能、集成化方向发展，从结构和等效电路图看，为满足更广泛 的应用需求和复杂的应用环境，器件设计及制造难度逐渐提高。功率半导体可根据对电路信号的可控程度分为全控型、半控型及不可控型；按载流子类型分为单 极型、多极型和混合型。随着技术进步以及更高的性能需求，又可以按所用材料分为硅基、第二

所谓广角镜头和长焦镜头是根据镜头的视角分类得到，按照视角大小通常 可将镜头分为标准镜头、广角镜头和长焦镜头三类。数码相机可以配置多个不 同类型的镜头，用于不同的拍摄场景。近年来智能手机中后置摄像头数量不断 提高，手机厂商通过搭载不同的镜头使智能手机拍摄功能向数码相机靠近。引入潜望式长焦镜头，通过“超广角+广角+长焦”的三摄方案进行接力变 焦，是方案 3）的加强版。该方案由华为和 OPPO 引领，2019 年 3 月，华为 推出搭载“超广角/16mm+广角主摄/27mm+潜望式长焦/125mm+TOF”四摄模 组的智能手机，可实现 5 倍（125mm/27mm）光学变焦、10 倍混合光学变 焦和

物联网的本质是通过二维码识读设备、射频识别(RFID) 装置、红外感应器、全球定位系统和激光扫描器等信息传感设备，按约定的协议，把任何物品与互联网相连接，进行信息交换和通信，以实现智能化识别、定位、跟踪、监控和管理的一种网络。物联网的核心和基础仍然是互联网，是互联网在终端上的延伸和扩展，区别在于用户端延伸和扩展到了任何物品与物品之间的信息交换和通信，实现万物的互联。 据艾瑞咨询数据显示，全球消费级 IOT 硬件销售额由2015 年的 3063 亿美元增长至 2017 年的 4859 亿美元。随着物联网生态体系内互联产品不断增加带来用户体验提升的正向反馈，以及 5G、云计算等基础设施的完善，整

产业链上游环节主要为镜头供应商、芯片供应商、马达供应商、传感器供应商等零部件 供应商，上游供应商为中游摄像头模组厂商提供硬件方面支持，其中，镜头、芯片及马达为 摄像头模组主要成本，占总生产成本的 70%左右。  （1）镜头供应商： 为智能摄像头提供广角镜头、标准镜头、长焦镜头、微距镜头、移轴镜头等，不同类型 镜头拍摄范围及画面画质不同。镜头为智能摄像头模组核心组成部分，镜头工作原理为利用 透镜折射，聚焦平面形成图像，镜头质量的优劣决定智能摄像头成像效果。镜头成本占摄像 头模组成本的 35%左右，中国主要的镜头供应商包括宇瞳光学、联合光电、腾龙、适马等， 其中，宇瞳光学镜头出货量较高，占据镜头市

大屏手机相对小屏手机视觉效果更好，可以更好地实现玩游戏、看视频等功能，所以大屏化始终是手机发展的主线之一。iPhone 作为智能手机的标杆，其发展非常典型地呈现了大屏化的趋势。第一代 iPhone 的屏幕尺寸为3.5 英寸，并延续到了 iPhone 4S；苹果在 2014 年首次推出大屏 iPhone，当年发布的 iPhone 6 屏幕尺寸达到 4.7 英寸，iPhone 6 Plus 屏幕尺寸达到5.5 英寸，这两款手机的销量也创下苹果的历史最高纪录；随后苹果不断增大屏幕尺寸，2017 年推出的 iPhone X 屏幕尺寸达到 5.8 英寸，2018 年推出的 iPhone XS Max 屏

根据 Yole developpement 的研究，单个 MEMS 的平均成本在 0.1 美元~5 美元之间，面积在 1 mm2~15 mm2，单个 NEMS 的平均成本在 0.1 美元~1 美元之间，面积在 1 mm2~10 mm2。据 MEMSIC 的数据，2016 年美新半导体的消费类加速度计和磁传感器销售均价分别为 1.06 元、1.01 元。 在 MEMS 传感器的晶圆级封装开发工艺中，封装成本约占 MEMS 传感器总成本的 30%~40%，封装尺寸面积的减少能够降低 MEMS传感器的成本、提高传感器的灵敏度。根据市场调研机构 Yole Développement 的研究，MEMS

处理器及控制器为集成电路的重要组成部分，主要分为 MPU（Microprocessor，微处理器） 和 MCU（Microcontroller，微控制器），2019 年全球市场规模约 1,280 亿美元，占半导体行 业终端 4,100 亿美元销售额比重达到 31%。处理器芯片在电子产品中应用广泛，且主要分 为四类：  桌面 CPU+GPU：主要应用在台式机/笔记本中，2019 年全球市场规模约 380 亿美元；  服务器处理器芯片：主要应用于云服务器和数据中心，2019 年全球市场规模约 250 亿 美元；  移动端 SoC：主要应用于智能手机和基站等无线通信设备，2019 年全球市场规模约

汽车是雷达传感器应用占比最大的下游应用领域，各雷达传感器在汽车应用占比均超过 80.0%。根据中汽协数据，2014-2018 年，中国汽车产量由 2,372.5 万辆上升至 2,781.8 万辆，年复合增长率为 4.1%，是全球最大的汽车市场。与此同时，消费者对汽车安全性要 求和智能驾驶需求的提升，推动雷达传感器需求量上涨。其中，超声波雷达装载量上涨，平 均增长幅度达到 17.7%，毫米波雷达装载量也从 2015 年的 12.3 万件激增至 2018 年的 500.7 万件，年复合增长率达到 244.0%（见图 2-4）。受益于中国雷达传感器装配数量的提升，中国雷达传感器用芯片行业市场规模持续

随着 Si 材料的瓶颈日益突出，以砷化镓（GaAs）为代表的第二代半导 体材料开始崭露头角，使半导体材料的应用进入光电子领域，尤其是在 红外激光器和高亮度的红光二极管等方面。第三代半导体材料的兴起， 则是以氮化镓（GaN）材料 p 型掺杂的突破为起点，以高亮度蓝光发光 二极管（LED）和蓝光激光器（LD）的研制成功为标志，包括 GaN、碳 化硅（SiC）和氧化锌（ZnO）等宽禁带材料。第三代半导体（本文以 SiC 和 GaN 为主）又称宽禁带半导体，禁带宽 度在 2.2eV 以上，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电 子密度、高迁移率等特点，逐步受到重视。SiC 与 GaN 相比较，

三代半导体材料之间的主要区别是禁带宽度。现代物理学描述材料导电特性的主流理论是能带理论， 能带理论认为晶体中电子的能级可划分为导带和价带，价带被电子填满且导带上无电子时，晶体不 导电。当晶体受到外界能量激发（如高压），电子被激发到导带，晶体导电，此时晶体被击穿，器 件失效，禁带宽度代表了器件的耐高压能力。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁 带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。第三代半导体材料能量密度更高。以氮化镓为例，其形成的HEMT器件结构中，其能量密度约为5- 8W/mm，远高于硅基MOS器件和砷化镓射频器件的0.5-1W/mm的能量密度，器件可承受更高的 功率和电压