氮化镓(GaN)是接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题，给出一个驱动器方案，解决设计过程的风险。 　　正文 　　氮化镓(GaN)HEMT是电源转换器的典范，其端到端能效高于当今的硅基方案，轻松超过服务器和云数据中心严格的80+规范或USB PD外部适配器的欧盟行为准则Tier 2标准。虽然旧的硅基开关技术声称性能接近理想，可快速、低损耗开关，而GaN器件更接近但不可直接替代。为了充分发挥该技术的潜在优势，外部驱动电路必须与GaN器件

§3.6 接口及下载口设计 本设计支持多种串口通信接口通讯如 SPI，RS-232，RS-485，TTL 电平 （UART） [12] ，并有 SW 下载口，使得系统设备具有很强的数据联网和通讯 能力。 §3.6.1 SPI 接口设计 SPI 接口的全称是“Serial Peripheral Interface”，意为串口外围接口。SPI 接口主要应用在 EEPROM、FLASH、实时时钟、AD 转换器，还有数字信号 处理器和数字信号解码器之间。SPI 接口是在 CPU 和外围低速器件之间进行 同步串行数据传输，在主器件的移位脉冲下，数据按位传输，高位在前，低 位在后，为全双工通信，数据传输速度总体来说比 I2C 总线要快，速度可达 到几 Mbps。 其接口包括以下四种信号：（1）MOSI-主器件数据输出，从器件数据输 入。（2）MISO-主器件数据输入，从器件数据输出。（3）SCLK-时钟信号， 由主器件产生。（4）/SS-从器件使能信号，由主器件控制，有时也写为 NSS 或 CS。除了这四个信号，添加了 SPI_INT 中断信号，原理图如图 3-11 所示： J1 SPI 1 2 3 4 5 6 7 DCOM R5SPI_MISO R8 R6 R9 SPI_MOSI SPI_NSS SPI_SCK R10SPI_INT 图 3-11 SPI 接口 §3.6.2 RS-485 接口设计 RS485 采用差分信号负逻辑，+2V～+6V 表示“1”，-6V～-2V 表示“0”。 RS485 有两线制和四线制两种接线，四线制是全双工通讯方式，两线制是半 双工通讯方式。本设计采用两线制，接受和发送都是 A 和 B，所以 RS-485

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