### 2N7002 N-通道增强型场效应管技术资料解析
#### 概述
2N7002是一种N-通道增强型场效应管(MOSFET),广泛应用于电子设备中作为开关元件。该器件采用的是Fairchild Semiconductor公司的专有高密度单元设计DMOS技术制造而成,具有低导通电阻、可靠性和快速切换性能等优点。适用于低压、小电流应用,例如小型伺服电机控制、功率MOSFET驱动器和其他开关应用。
#### 绝对最大额定值
绝对最大额定值是器件能够承受的最大工作条件,超过这些条件可能会导致器件损坏或性能下降。
- **漏源电压**(VDSS):2N7002的最大漏源电压为60V,表示在栅极到源极电压为0时的最大漏源电压。
- **漏栅电压**(VDGR):2N7002的最大漏栅电压为60V,当栅源电阻小于1兆欧姆时适用。
- **栅源电压**(VGSS):连续状态下的最大栅源电压为±20V;非重复状态下(脉冲宽度小于50微秒)为±40V。
- **最大漏极电流**(ID):连续状态下最大漏极电流为115mA;脉冲状态下可达800mA。
- **最大功耗**(PD):2N7002的最大功耗为200mW,在环境温度高于25°C时需进行功率降额,降额系数为1.6mW/°C。
- **工作与存储温度范围**(TJ/TSTG):-65°C至150°C。
- **焊接时的最大引线温度**(TL):为300°C,持续时间不超过10秒且距离封装边缘1/16英寸处测量。
- **热特性**(RθJA):结到环境的热阻为625°C/W。
#### 电气特性
电气特性描述了器件在正常操作条件下的性能参数。
- **漏源击穿电压**(BVDSS):在栅极到源极电压为0V时,漏源之间的击穿电压至少为60V。
- **零栅压漏电流**(IDSS):在栅极到源极电压为0V时,2N7002在48V的漏源电压下的漏电流最大为1μA;在60V的漏源电压下,该电流最大为0.5mA,此时的工作结温为125°C。
- **栅体正向泄漏电流**(IGSSF):当栅极到源极电压为15V时,2N7002的栅体正向泄漏电流最大为100nA;当栅极到源极电压为20V时,该电流最大为100nA。
- **栅体反向泄漏电流**(IGSSR):当栅极到源极电压为-15V时,2N7002的栅体反向泄漏电流最大为-10nA;当栅极到源极电压为-20V时,该电流最大为-100nA。
#### 特点
- **高密度单元设计**:通过降低导通电阻来提高效率。
- **电压控制的小信号开关**:适用于各种需要精确控制的应用。
- **坚固可靠**:能够在恶劣环境下稳定工作。
- **高饱和电流能力**:即使在高电流负载下也能保持良好的性能。
- **快速切换性能**:适用于高速开关电路。
#### 应用领域
2N7002特别适合于以下几种应用场景:
- **小型伺服电机控制**:由于其低导通电阻和快速切换性能,非常适合用于控制小型伺服电机。
- **功率MOSFET驱动器**:在需要驱动较大电流的情况下,可以用作中间级放大器。
- **其他开关应用**:如电源管理、LED驱动器、电池充电控制器等。
2N7002是一款非常实用的N-通道增强型场效应管,适用于多种低压、小电流的应用场景,具有较高的性价比和可靠性。对于从事单片机硬件开发的工程师来说,了解和掌握2N7002的技术特性将有助于在设计过程中做出更加合适的选择。
1