IPM是一种混合集成电路，它将大功率开关元件和驱动电路、保护电路、检测电路等集成在同一个模块内，这种功率集成电路特别适应逆变器高频化发展方向的需要。

汽车音响结构原理与维修

电动车充电站和汽车加油站相类似，是一种“加电”的设备。是一种高效率的充电器，可以快速的给手机电动车 电动汽车等充电。。“电动车快速充电站”可以像汽车加油站一样，在沿街商店、街道社区、报刊亭旁、存车棚、彩票投注点等处设置。 电动车充电站是类似于手机充电的ICM 阶梯波六段式充电，具有较好的去硫化效果，可对电池首先激活，然后进行维护式快速充电，具有定时、充满报警、电脑快充、密码控制、自识别电压、多重保护、四路输出等功能，配套万能输出接口，可对所有电动车快速充电。

3.快速卷积结构 （1）原理 设FIR DF的单位冲激响应h(n)的非零值长度为M，输入x(n)的非零值长度为N。 则输出y(n)=x(n)*h(n),且长度L=N+M-1 若将x(n)补零加长至L，补L-N个零点，将h(n)补零加长至L，补L-M个零点。 这样进行L点圆周卷积，可代替x(n)*h(n)线卷积。 其中： 而由圆卷积可用DFT和IDFT来计算，即可得到FIR的快速卷积结构。

打孔机的结构原理设计(机械系统设计大作业).doc

图2．1 单通道幅度量化DRFM的结构原理 图2．1所示为简化了的单通道幅度量化DRFM的结构原理框图，它由下变 频部分、中频部分和上变频部分组成。根据粗测接收信号的频率调谐本振螂(叻， 使输入信号与本振信号混频后位于中频基带信号(腰)内，然后经过低通滤波器 (或带通滤波器)滤除混频产生的谐波信号；基带信号经A／D转换器量化和采 样转化为数字比特流，该数字信号存入存储器后，可对信号进行分析、变换；需 要复制并加以干扰调制输出时，从存储器中读出所存储的数据比特流对其进行必 要的幅相调制，然后经过D／A转换，再经过低通(或带通)滤波器滤除掉高次 分量后将其还原为中频基带信号；该中频信号与本振信号混频后，经过带通滤波 器输出。为了保证对原始信号复现的精确性，要求上变频和下变频使用同一本振。 对DRFM的各种工作方式的选择，可通过控制器产生相应的控制命令，以 完成各种不同的应用要求。为实现对宽带射频信号的数字存储，DRFM的采样速 率为纳秒级或更短。当DRFM中的存储器和外部(或内部)计算机连接时，还

纯电动汽车的结构原理与应用探讨

《C++数据结构原理与经典问题求解》是左飞老师所著的经典书籍，在经典数据结构和算法问题中融入了许多实践相关内容！ 此为本书配套源代码。

混凝土结构原理材料性能分析总结.doc

什么是mos管 mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。 场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶