行业分类-化学冶金-一种以海绵状石墨烯或其衍生物为碳源规模化制备SiC纳米线的方法.zip

用汽相传输法制备了氧化锌(ZnO)纳米线,并在室温条件下,测量了在不同波长光的激发下,样品的光致发光谱。实验结果表明,当用325 nm的光激发ZnO纳米线时,观察到峰值波长约为392 nm的紫光峰峰值强度强,峰值波长约为445 nm的蓝光峰峰值强度较弱和峰值波长约为486 nm的蓝绿光峰峰值强度弱;当增加激发光波长到380 nm时,发射光谱变成峰值波长约为520 nm的半高宽较宽、峰值强度较强的带状光谱。同时对发光峰产生的机理进行了分析。

由Cu2 +和Mn2 +离子调制的可控光致发光-磁双编码纤锌矿型ZnS：Cu2 + Mn2 +纳米线

聚（3-己基噻吩）纳米线网络的自组装有机溶剂效应晶体管的混合溶剂方法。

硅纳米线阵列光电电极光电转换特性的仿真分析

梯度成分AlGaAs / GaAs纳米线光电探测器的光谱灵敏度

通过聚合物纳米线拼接光学微纤维的一般方法

设计了一种基于纳米线波导和一维光子晶体纳米梁腔的模分-波分混合解复用器,该器件由波分解复用(WDM)和模分解复用(MDM)两部分组成。其中,波分解复用部分由两个一维光子晶体纳米梁腔构成,模分解复用部分采用硅基纳米线波导结构。利用三维时域有限差分法,计算分析了该混合解复用器的性能参数。结果表明,该器件可以在波长1570.0 nm和1573.2 nm处实现基模(TE0)和一阶模(TE1)四个信道的解复用功能,插入损耗小于0.37 dB,信道串扰小于-18.4 dB,自由光谱范围可以达到400 nm。该混合解复用器可以应用于模分-粗波分复用系统中。

Pure zinc blende structure GaAs/AlGaAs axial heterostructure nanowires (NWs) are grown by metal organic chemical vapor deposition on GaAs(111) B substrates using Au-catalyzed vapor-liquid-solid mechanism. Al adatom enhances the influence of diameters on NWs growth rate. NWs are grown mainly through the contributions from the direct impingement of the precursors onto the alloy droplets and not so much from adatom diffusion. The results indicate that the droplet acts as a catalyst rather than an a

铁纳米线-氮化硼纳米管复合结构的形成及其压缩性质的模拟研究