行业分类-作业装置-碳化硅衬底上的缓冲层及其形成方法.7z

行业分类-电子电器-一种新型沟槽碳化硅晶体管器件及其制作方法.zip

行业分类-电子电器-一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法.zip

SiC的成本问题? 甚么是合适的应用? 如何驱动⻔极? 用体二极管 还是同步整流? 如何降低杂散电感带来的影响? 如何对短路、过电流和过电压作保护? 如何计算损耗和结温? 如何缓和高dV/dt(电压变化速率)带来的影响? ⻓期可靠性要注意什么? SiC MOSFET器件是否可以并联?

20210702-东兴证券-电子元器件行业碳化硅产业：已处于爆发前夜，有望引领中国半导体进入黄金时代.pdf

半导体行业：新能源车全球普及加速，碳化硅产业落地迎机遇-20210302-中金公司-29页.pdf

进入21世纪，开关电源技术将会有更大的发展，这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努力协作，沿着下述方向，开发与开关电源相关的产品和技术。 　　碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是禁带宽，工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、DNI结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率的半导体开关器件，如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。　　  来源:ks99

高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析pdf,相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅 MOSFET 逆变器的功率密度，探讨了采用软开关技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积， 讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系。 随着开关频率从数十 kHz 逐渐提升至数百 kHz，软开关逆变器不仅能够维持较高的转换效

我们测算 SiC 衬 底及外延片价值量合计占比超器件总价值量的 60%，2025 年 中国本土导电型衬 底片需求超 100 万片，行业上游重要性强，需求空间广 阔。

碳化硅在大功率电力电子器件中的应用doc,功率半导体器件是电力电子技术的关键元件。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件能够承受更高的电压，具有更低的寄生参数（寄生电容、电阻和电感），更小的器件尺寸和更短的响应时间。开关速度的提高不但可以降低系统功率损耗，而且能够允许使用更小的变压器和电容器，大大减小了系统的整体尺寸和质量。而且，碳化硅的耐高温特性大大降低了系统的散热设计，允许使用更小的散热片及风扇，降低散热器体积及功率损耗。因此，碳化硅器件有望从本质上提高电力电子功率转换设备的效率和功率密度。本文对碳化硅材料特性做简单的介绍，进而深刻了解碳化硅