碳化硅功率半导体的实用资料——热管理与工艺.pdf
2021-08-29 18:11:19 291KB 半导体 导体技术 导体研究 参考文献
行业分类-外包设计-一种碳化硅微粉成品包装机.zip
适合一二级市场投资者
2021-08-08 16:13:41 4.79MB 三代半导体,碳化硅,氮化镓
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行业分类-作业装置-碳化硅衬底上的缓冲层及其形成方法.7z
行业分类-电子电器-一种新型沟槽碳化硅晶体管器件及其制作方法.zip
行业分类-电子电器-一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法.zip
SiC的成本问题? 甚么是合适的应用? 如何驱动⻔极? 用体二极管 还是同步整流? 如何降低杂散电感带来的影响? 如何对短路、过电流和过电压作保护? 如何计算损耗和结温? 如何缓和高dV/dt(电压变化速率)带来的影响? ⻓期可靠性要注意什么? SiC MOSFET器件是否可以并联?
2021-07-12 22:39:09 18.81MB SiC 变流器 英飞凌
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20210702-东兴证券-电子元器件行业碳化硅产业:已处于爆发前夜,有望引领中国半导体进入黄金时代.pdf
2021-07-03 10:02:36 1.43MB 行业
半导体行业:新能源车全球普及加速,碳化硅产业落地迎机遇-20210302-中金公司-29页.pdf
2021-07-01 18:02:24 2.58MB 碳中和 碳达峰 碳排放
进入21世纪,开关电源技术将会有更大的发展,这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努力协作,沿着下述方向,开发与开关电源相关的产品和技术。   碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是禁带宽,工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、DNI结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率的半导体开关器件,如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。    来源:ks99
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