瞬态分析 --有限元方法将问题在空间中离散化，对于瞬态传热问题，控制方程也必须通过时间积分进行求解 --在ABAQUS 中对瞬态固体传热进行时间积分的操作是利用后向差分算法： --后向差分算法是: 相当的精确 无条件稳定的 --算法的稳定性非常重要，因为许多瞬态传热问题是在长的时间周期内进行分析的。(典型的是要到达到稳态条件）

具有深度约束的瞬态电磁数据的多模态分层跨维反演 （可用于所有地面 TEM 测量设计，请参见下面的参数列表） MuLTI-TEM 算法由利兹大学地球与环境学院的 Siobhan Killingbeck 和 Phil Livermore 于 2019 年编写。它基于 Thomas Bodin 编写的 Matlab 代码。MuLTI-TEM 是在 Matlab 版本 2017a 中开发的，因此提供的所有 Matlab 代码都将适用于该版本或后续的 Matlab 版本。此代码可以在基于 Linux 或 Windows 的平台上运行。这个 github 存储库包括： 1D 和 2D MuLTI-TEM Matlab 脚本 在主脚本中调用了两个 matlab 函数，“thicknesses_and_priors”和“whichnuclei”， 用于测试 MuLTI-TEM 1D 和 2D 代码的 1D 和 2D 示例数据集， 改编的 Leroi 正向建模代码（称为 LEROI_TEM.F90） 更多详情、使用方法，请下载后阅读README.md文件

Bonneville 电力管理局 (BPA) 的电磁瞬态计划 (EMTP)_Fortran_代码_下载

三极管瞬态分析电路原理图+proteus仿真.rar

建立了InGaN / GaN发光二极管（LED）静态和动态行为的速率方程模型，并在SPICE电路仿真器上实现了该模型。 通过将模拟结果与报告的实验数据进行拟合，获得了模型的参数。 通过改变有源区中量子阱的数量，对InGaN LED的瞬态响应进行了比较研究。 仿真表明，光功率的上升时间随阱数的增加而增加，由三个量子阱组成的有源区是最优化的结构。

热传递matlab代码瞬态热传递1D-FDM-Matlab代码 一维瞬态传热的有限差分法 具有三种类型的边界条件-可自定义： Dirichlet条件， 诺伊曼条件（隔离）， 热通量

插件瞬态抑制二极管P4KE系列是专为保护敏感电子设备免受雷电和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变而设计的。 特征： 快速响应时间 哑光无铅镀锡 低增量浪涌阻力 无卤素，符合RoHS要求 10V以上典型红外小于1μA 兼容工业标准包DO-41 400W峰值脉冲功率，10/1000μs波形，重复率(占空比)：：0.01% 保证高温焊接：260°C/10秒 TVS二极管P4KE PDF资料，4008315889

集成电路技术的迅速发展，对电源完整性设计提出了更高的要求，设计者通常通过放置各种电容来降低电源噪声以及应对负载瞬态大电流的需求。讨论了电容技术发展对电源完整性设计带来的影响，同时通过对几种典型电容特性的分析，给出了在电源完整性设计中合理选择使用各种滤波电容的解决方案。

 利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在电源电压为1.8 V，输出电压为1.3 V的情况下，当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时，其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs；而在负载电流为100 mA的条件下，电源电压在10 ns内，由1.8 V跳变到2.3 V时，输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。

为了准确直观的理解4 种典型功率放大电路的电路特性，文中研究了基于Multisim 的功率放大电路的仿真测试。首先介绍了Multisim 软件常用的分析方法。其次通过Multisim 平台建立了4 种功放电路的仿真模型，对其进行了瞬态分析和傅里叶分析。仿真结果表明，在基本型功放电路前端串接运算放大器可以提高电路稳定性，减小电路的交越失真。