UE热力图使用插件，仅限于学习研究之用。

单晶炉导流筒、热屏及炭毡对单晶硅生长影响的优化模拟，可供参考学习，单晶炉导流筒、热屏及炭毡对单晶硅生长影响的优化模拟

槽式太阳能热发电系统集热与相变蓄热耦合特性研究，陶于兵，唐宗斌，建立了槽式太阳能集热与相变蓄热单元的耦合模型，集热器采用沿长度方向的一维分布参数模型，相变蓄热单元采用二维轴对称模型，自

RTD TC热电阻热电偶温度换算工具, 目前全网支持类型最全，支持Pt Cu Ni热电阻 常用J K N R S T等类型热电偶的换算 之前上传的文件安装程序打包有问题 程序安装不能运行 现在修正问题重新上传 更新软件20200907

GD32F4+LWIP+FreeRTOS+网线热插拔处理

双机热备使用说明 一、简介 服务器双机热备功能把主从服务器、数据库分别部署到 3 台机器上，实现主-从服务器 共享一个数据库，并且保持三者之间的通讯。当主服务器出现故障时，从服务器能及时响应 进入运行状态，保持系统策略设置、数据查询、流程审批等功能的正常使用.

ThermoCalc是用于计算房间的散热（热量损失）的程序，该程序基于用于建造墙壁的墙壁材料

本资料，作为客户热量设计时的参考，关于本公司的热阻的各参数定义、测量方法等在此进行解说。 ■背景 通常，芯片的结温(Junction Temperature)（Tj）每上升 10℃，器件的寿命就会大约减为一半，故障率也会大约增大２倍。Si 半导体在 Tj 超过了 175℃时就有可能损坏。由此，使用时就必须极力降低 Tj，以容许温度（通常 80～100℃）为目标进行热量设计。但是，对于功率器件那样的高输出元件，要把 Tj 抑制在容许温度以下其实是比较困难的，所以通常以规格书里揭载的最高容许温度的 80%为基准来设计 Tj。另外、即使器件的封装相同，根据器件的芯片尺寸、引线框架的定位尺寸、实装电路板的规格等不同、热阻值也会发生变化，需要特别注意。

我们表明，为了获得对离子-离子碰撞中带电粒子的横向矩分布的成功描述，必须包含一个热发射项。 发射的温度Tth与饱和度成正比，Tth = 1.8Qs /2π。 提出了在彩色玻璃冷凝物/饱和方法中计算横向矩谱的形式，其中可以看到该过程的两个阶段：彩色玻璃冷凝物的产生和胶子射流的强子化。 我们的计算基于以下观察结果：即使对于较小的pT，偶极子尺寸积分的主要贡献也来自饱和动量附近的运动区域，理论上我们知道散射幅度。 强子化模型中应包括非扰动校正。 该模型结合了有效质量为meff2 =2Qsμsoft的胶子射流的衰减，其中μsoft表示软标度，在所有横向动量值上均具有碎裂功能。 我们使用Kharzeev-Levin-Nardi模型，该模型提供了一种简单的方法来估计不同中心度类别的横截面。 将本文的结果与质子-质子散射的横向分布进行比较，我们看到了两个主要区别。 首先，根据所产生的彩色玻璃冷凝物的更高的部分密度，需要更大的热辐射项贡献。 第二，即使不使用热辐射项而更改强子化的模型，我们也无法描述pT谱。 因此，我们推测热辐射项的存在与约束模型无关。

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