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PWM
死区
:为了避免逆变器同一支路中的两个开关都打开,引入了
死区
。-matlab开发
通过在PWM技术中引入
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,可以避免将同一路的两个开关导通。 在单相逆变器的仿真中实现了单极 PWM。 如果您有任何疑问,请随时与我联系。
2022-04-13 22:25:16
35KB
matlab
1
采用自适应
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时间和切相方法且极具吸引力的电源拓扑-电路方案
描述 交错连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 采用高带隙 GaN 器件,由于具有电源效率高和尺寸减小的特点,因此是极具吸引力的电源拓扑。此设计说明了使用 C2000:trade_mark: MCU 和 LMG3410 GaN FET 模块来控制此功率级的方法。为了提高效率,此设计采用了自适应
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时间和切相方法。非线性电压补偿器旨在减少瞬态期间的过冲和下冲。此设计选择基于软件锁相环 (SPLL) 的方案来精确地驱动图腾柱电桥。用于此设计的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。 特性 在高压线路上具有交流输入 (90-230Vrms)、50-60Hz 和 3.3KW 额定功率 峰值效率为 98.75% 且总谐波失真 (THD) 小于 2% 提供 powerSUITE 支持,以使设计轻松适应用户要求 内置频率响应分析器 (SFRA) 以便验证并设计控制环路 低过零失真 说明了自适应
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时间、切相和非线性电压补偿器的实现方式 功率级控制可以在 C28x CPU 或并行 CLA 上运行
2022-04-02 15:52:13
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开源
电路方案
1
基于空间矢量的
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预测补偿
摘 要 本文提出一种对
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时间的预测补偿。
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效应可被视为一种空间矢量,它由两个因素决定:扇区数和相电流方向。在一个调制周期内,通过校正参考空间电压矢量,
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效应得以消除。仿真结果证明该方法是正确的。 关键词 空间 矢量 补偿 仿真1 引言 随着控制芯片(如DSP)运算速度和电力电子器件(如IGBT)开关频率的日益提高,在变频调速中使用空间矢量控制已非常容易。但是开关器件存在一定的导通时间和关断时间,为防止同一桥臂上的两个开关发生“直通”,必须在控制信号中设置
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。例如,用于电机控制的TMS320X24X系列芯片中,就有专门的可编程
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单元[1]。然而,由于
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的作用,每一个调制周期
2022-03-23 14:53:35
356KB
基于空间矢量的死区预测补偿
空间
矢量
补偿
仿真
开发板
电子技术
ARM开发板
1
电力开关中不可缺少的
死区
时间发生电路
在驱动电动机等的电力开关电路中,采用半桥式及全桥式电路时,必须要注意图1所示的实现推挽动作的设各的断开时间tdOFF的存在。如果推挽动作中的开关元件同时处于ON状态,会出现短路现象,引起设备烧损。所以在使用IGBT时,应设计数μs的空区(
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时间:DT)。 图1 推挽大功率开关电路中,为防止同时开关,各个驱动上应具有
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时间 图2是由时钟振荡电路的输出产生推挽用输出信号的电,该电路可使OUT1、OUT2的DT部分分离。这种电路的特征 图2
死区
时间
死区
时间发生电路 是DT通常恒定,输入频率变化,输出波形的负载也同样变化。由于需要延迟电路部分的输人波形的负载为50
2022-02-25 10:25:03
127KB
电力开关中不可缺少的死区时间发生电路
其它
1
什么是“
死区
时间”?如何减小IGBT的
死区
时间
在现代工业中,采用IGBT器件的电压源逆变器应用越来越多。为了保证可靠的运行,应当避免桥臂直通。桥臂直通将产生不必要的额外损耗,甚至引起发热失控,结果可能导致器件和整个逆变器被损坏。 下图画出了IGBT一个桥臂的典型结构。在正常运行时,两个IGBT将依次开通和关断。如果两个器件同时导通,则电流急剧上升,此时的电流将仅由直流环路的杂散电感决定。 图1 电压源逆变器的典型结构 当然, 没有谁故意使两个IGBT同时开通,但是由于IGBT并不是理想开关器件,其开通时间和关断时间不是严格一致的。为了避免IGBT桥臂直通,通常建议在控制策略中加入所谓的“互锁
2022-02-15 11:35:11
274KB
什么是“死区时间”?如何减小IGBT的死区时间
1
含齿隙双电机伺服系统未知参数的两阶段辨识
针对含齿隙的双电机伺服系统,提出一种两阶段辨识法辨识双电机系统未知参数以及齿隙非线性环节的
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参数.针对电机转动惯量、等效粘性摩擦系数以及齿隙大小未知的情况,运用Legendre多项式将双电机伺服系统中的齿隙模型分段化,根据最小二乘法辨识双电机伺服系统参数.最后,通过仿真验证两阶段辨识法的有效性,验证结果表明,两阶段辨识法能够较准确地辨识电机参数和齿隙参数.
2022-01-15 12:43:16
229KB
双电机伺服系统 齿隙 非线性死区 两阶段辨识
1
带
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的六路互补PWM波
介绍了一种可以由设置
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时间的六路互补PWM波的输出方法
2021-12-16 09:07:57
311KB
STM32
PWM
死区
1
FOC控制中
死区
补偿的参数计算研究
由于功率元件的损耗以及
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时间会导致电压、电流波形的畸变,同时在低频时会引起转矩纹波。开 关管在切换的时候具有延迟特性,并且这个延迟时间取决于自己的特性,目前并没有很好的办法准确预知。 为了保证上下桥臂不会同时导通,必须从硬件和软件上设置
死区
时间
2021-12-11 14:33:52
2.21MB
电机控制
1
计及MOSFET关断过程的LLC变换器
死区
时间选取及计算
死区
时间的合理选取是LLC变换器MOSFET开关管在宽调节范围内实现零电压开通(ZVS)以降低电磁干扰并提升运行效率的必要条件。现有选取方法因忽略MOSFET关断过程对
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时间的重要影响,选取结果实用性较差。通过理论研究给出了使LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS的
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时间选取原则,参照该原则详细描述并合理简化最恶劣工况下计及MOSFET关断瞬态的LLC变换器工作过程。在此基础上,通过对MOSFET手册中数据的分析运用,精确算得最恶劣工况下LLC变换器实现ZVS所需
死区
时间的最小值,最终给出LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS所需
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时间设定值的计算方法。该方法计算过程简单直观,实验结果亦验证了其正确性和有效性。
2021-11-29 21:47:54
1.62MB
死区时间;
LLC变换器;
最恶劣工况;
MOSFET 关断瞬态;零电压开通
1
电机驱动理论计算
死区
时间方式
该文档是英飞凌公司关于 电机驱动技术中
死区
时间设置的计算方式
2021-11-29 18:28:36
306KB
电机
死区
计算
1
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