电子科技大学-模拟电路基础课程V1.zip
2021-10-11 12:14:58 149.15MB 杂质
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这项工作首先证明了基于电子束蒸发二氧化f(HfO2)的无杂质空位扩散(IFVD)诱导的量子阱混合(QWI)。 红光二极管激光晶片具有两个6纳米厚的GaInP量子阱和三个8纳米厚的AlGaInP量子势垒的有源区。 在200℃下在二极管激光晶片的表面上蒸发出135nm厚的HfO 2膜。 QWI过程是通过在不同温度下快速热退火(RTA)20 s引起的。 发现活性区域发射波长的强度和半峰全宽(FWHM)分别随着退火温度的升高而增加和降低。 当样品在1000°C退火时,HfO2 IFVD诱导的QWI发现蓝移为18 nm。 此外,基于活性区域中的浓度分布来计算扩散长度和扩散系数,并且扩散系数值高于Zn杂质扩散诱导的QWI中的结果。
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行业资料-电子功用-ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池及其制备方法
2021-09-10 09:02:34 400KB
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行业资料-交通装置-一种在高温下清理混合炉内杂质的方法及所用的清理车.zip
该 m 文件提供了有关一些半导体基本原理的信息,即费米-狄拉克积分、能带隙与温度的关系、本征载流子密度以及作为温度和掺杂浓度函数的 Si、Ge 和 GaAs 中的费米能级位置(在这些图中,还显示了带隙和费米本征能级对温度的依赖性。 对于费米能级的计算,电荷中性方程通过假设费米-狄拉克统计而不是麦克斯韦-玻尔兹曼统计进行数值求解。 由于上述原因,该程序可用于计算非简并或简并半导体的费米能级位置。 可以将掺杂浓度更改为 Fermi_Level.m(第 9 行)中的特定值。 期刊: 参考文献 1:固态电子学,25, 1067 (1982) 参考文献 2:半导体物理电子学,Sheng S. Li。 pp 89 参考文献 3:Physica Status Solidi(b) vol。 188, 1995, 第 635-644 页图书: 半导体物理电子第二版。 斯普林格李盛生先进半导体基础第二版。
2021-08-24 13:18:13 15KB matlab
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0009-Win7_Win8_Win81_Win10_R282.zip http://www.fujitsu.com/downloads/SOL/fai/retailing/support/tp8/202102_TP8_Drivers/0009-Win7_Win8_Win81_Win10_R282.zip Software Downloads forTP8 Series Motherboard Device Drivers realtek的WIN10下的驱动程序。带音频管理的! Realtek高清晰音频管理器 High Definition Audio Codecs Software
2021-08-20 01:36:57 417.03MB 杂质
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行业分类-物流装置-用于深度脱除气体物流的杂质的方法.zip
Soundforge_Audiostudio_12.6_x64.exe 将SONY录音笔的录音DSF格式转换成伟WAV/MP3等等格式 索尼(SONY)数码录音棒/录音笔PCM-D100 Sound Forge 音频编辑室LE软件:http://service.sony.com.cn/PA/Download/59303.htm Sound Organizer Ver.1.6下载服务:http://service.sony.com.cn/PA/Download/67697.htm
2021-08-15 01:58:33 258.47MB 杂质
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课程内容: 1 外延层-衬底界面的杂质再分布 1.1 界面的杂质再分布的条件 1.1.1 界面两侧存在杂质的浓度梯度 1.1.2 存在高温处理环境 1.2 界面杂质再分布的结果 1.2.1 同型外延结构 1.2.2 异型外延结构 2 常规器件结构中外延层-衬底界面的杂质分布 2.1 N /N (P /P )结构中外延层-衬底杂质分布 2
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行业分类-作业装置-一种用于去除含粉末载体的剩余污泥中杂质的过滤装置.zip