研究了惠普忆阻器的电荷控制和磁通量控制模型，构建了忆阻器的Simulink模型，给出了相应的仿真结果．设计了一种基于MATLAB的图形用户界面，能直观地展示忆阻器特性．通过该界面，可以选择或设定输入电压的类型、参数及忆阻器模型的参数，简单方便地观察对应的输出结果，为人们更直观地学习和研究忆阻器提供一种有效的方法．

忆阻器，全称记忆电阻。最早提出忆阻器概念的人是华裔的科学家蔡少棠，时间是 1971 年。2013年，比勒菲尔德大学物理学系的高级讲师安迪·托马斯博士研制的忆阻器被内置于比人头发薄600倍的芯片中，利用这种忆阻器作为人工大脑的关键部件，他的研究结果将发表在《物理学学报D辑：应用物理学》杂志上。

本文通过将HP TiO2忆阻器纳入典范的Chen混沌系统中，提出并研究了基于忆阻器的混沌系统。 更精确地，引入具有一些适当边界条件的电荷控制忆阻器模型。 公式化了电荷和通过忆阻器的通量之间的关系，然后将其用作构造的混沌系统中的非线性项。 通过计算Lyapunov指数谱和Lyapunov维数，观察混沌吸引子，分析分叉，证明了忆阻器系统的丰富动力学行为。

针对如何将忆阻器融入人工神经网络算法并进行硬件实现的问题，提出了一种在现场可编程逻辑门阵列（FPGA）平台上实现的基于忆阻特性的监督神经网络算法。该设计以忆阻器模块作为神经网络中的权值存储模块，构建误差反馈机制的监督学习。将该忆阻神经网络电路应用于图像分类问题，并进行了资源占用和处理速度的优化。实验结果表明其分类结果良好，在Cyclone II：EP2C70F896I8平台上，整体网络算法占用11 773个逻辑单元（LEs），训练耗时0.33 ms，图像的测试耗时10 μs。这一工作对忆阻器和神经网络的结合提出了一个有益的参考。

在这项工作中，我们提出了一个新的忆阻器SPICE模型，该模型考虑了以前已通过实用的忆阻器设备演示的典型突触特征。 我们表明，该模型可以解释在不同刺激下的易失性和非易失性忆阻变化。 然后，我们证明我们的模型能够通过简单的非重叠数字脉冲对来支持典型的STDP。 最后，我们研究了我们的模型模拟突触修饰的活性依赖性动力学的能力，并提出了与生物学结果非常吻合的模拟结果。

介绍 JSpice是受SPICE启发的Java模拟电路模拟器，其重点是模拟忆阻器和包含忆阻器的模拟电路。 简而言之，与主流SPICE版本相比，JSpice的功能非常有限，并且只能执行以下操作： 直流工作点分析 直流扫描分析 瞬态分析（对任意输入波形的时间响应） JSpice最初是在任何主流SPICE应用程序支持忆阻器仿真之前编写的，那时，我们认为用Java编写SPICE的自定义版本比尝试弄清楚如何将忆阻器设备本地集成到其中要容易得多。现有的SPICE版本。 最近，其他功能更强大的仿真器（如Xyce）也出现了，并且我们现在正在利用这些工具进行CMOS +忆阻器电路仿真。 但是，JSpice仍可用于快速原型制作，并用作的仿真引擎。 如果您有兴趣学习修改节点分析的机制，并且您最喜欢的编程语言是Java，那么JSpice可能会让您感兴趣。 JSpice的流程图 以下是JSpice主程序流程

HP 忆阻器模型和仿真 HP忆阻器型号 根据惠普关于忆阻器的论文进行的模拟 联想学习的网络模拟 两种不同尖峰类型的比较： 单脉冲 双脉冲

The new Springer book, Advances in Memristors, Memristive Devices and Systems, consists of 20 contributed chapters by subject experts who are specialized in the various topics addressed in this book. The special chapters have been brought out in this book after a rigorous review process in the broad areas of modeling and applications of memristors, memristive devices and systems. Special importance was given to chapters offering practical solutions and novel methods for the recent research problems in the modeling and applications of memristors, memristive devices and systems. This book discusses trends and applications of memristors and memristive devices in engineering.

Matlab忆阻器memristor-memristor.m 作为Matlab初学者，好多东西要学习。 源代码可以实现忆阻器的I-V曲线，但显然不够灵活，必须手动调整参数。 现在想将其中的参数ratio，v0，ω0变成可调节范围的， 还不知道怎样做，如果将参数直接放入方程不知能解不， 如果能解，在获得结果s后，怎样把参数换成数值，貌似subs函数，只能替换t。 希望有心人一起扩展此程序，在网上有mathematica实现的例子 http://demonstrations.wolfram.com/CurrentVoltageCharacteristicsOfAMemristor/ 我的下一步是做GUI，并实现动画。希望做的更好。

本文提出了一种新型的忆阻器，然后提出了一种由现成的固态组件构建的仿真器，该仿真器模仿了拟议的忆阻器的行为。 在仿真器上进行了Multisim仿真和面包板实验，当仿真器由周期性激励电压驱动时，在电压-电流平面上会显示出一个捏滞的磁滞回线。 此外，通过使用提出的忆阻器和其他电路元件，设计了一种新的简单混沌电路。 令人兴奋的是，只有线性负电阻器，电容器，电感器和忆阻器的这种电路可以产生混沌吸引子。 利用李雅普诺夫指数，相图和分叉图分析了所提出混沌系统的动力学行为。 最后，设计了一个电子电路来实现混沌系统。 为了简化电路拓扑，可以以低成本容易地制造所提出的混沌电路。