设计了一款带隙基准电压源，基于0．18μm的CMOS工艺，在Hspice下仿真，仿真结果表明，温度在-25～80℃内变化时，温度系数为9．14×10-6℃；电源电压在3～5 V之间变化时，基准电压在1 250±43 mV内变化，满足设计要求。
2021-10-28 10:31:23
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基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。
2021-09-24 09:22:05
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本文阐述了 Banba 和 Leung 两种基本带隙基准电压源电路的工作原理，分析了 Leung结构对于 Banba 结构改进的方法，分别对两个电路的参数进行了设计，并仿真其性能，由此来比较了它们各自的特点。 得到的结论是 Banba 结构的输出电压温度系数更小， 而 Leung结构的最低电源电压可以降到 1V 左右，有益于向低电压设计的发展。仿真采用 SMIC0.18um 标准 CMOS Spice 工艺模型在 Hspice 中进行，两者的输出电压都在 0.5V 左右，温度系数在 10e-5 数量级，成品受到其他非理想因素的影响，温度系数会大一点。由于时间和设备有限，暂时无法实现成成品，所以目前所有指标都是仿真理想值
2021-09-17 09:30:25
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电压基准源设计ADC中基准电压源CMOS带隙基准电压设计论文资料10篇合集:
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2021-09-03 18:08:48
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提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的，具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题，引入了一个电阻，使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比，降低了温度系数。
2021-08-16 01:42:29
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