（2）“靠背椅”击穿
当PN结加反电压时，在低压下场感应
被击穿。当IR上升到比正常值大得多的
饱和值，由于反向击穿曲线如靠背椅，
故称这种击穿称为“靠背椅”击穿。
如图14。
“靠背椅”击穿产生的原因：
a:表面杂质沾污或氧化层污染，形成表面沟道所致。
b:外延层杂质补偿太大，热氧化时，由于二氧化硅有吸硼排磷作用，会使硅-二氧化硅界面P区表面硼减少而磷增多，使P区反型成N区，造成永久性沟道。也是造成“靠背椅”击穿的主要原因。
1为饱和沟道特性
2为非饱和沟道特性
图14 “靠背椅”击穿特性曲线
2021-06-08 15:33:27
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