20210815-国泰君安-中国中冶-601618-盐湖提锂氢冶金电子多晶硅技术领先，镍钴电池BIPV高增.pdf
2021-08-16 09:05:31
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20210706-申万宏源-多晶硅行业深度报告：多晶硅景气度持续，格局优化洗牌加速.pdf
2021-07-07 09:03:07
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流化床法颗粒硅的物理特性可令其更容易充分填充CCZ连续直拉法最大的优势为效率优势，即晶棒拉制拉棒环节的石英坩埚。根据REC的测试结果，相比 （等径生长流程）与加料熔化同时进行，省去了单晶棒冷100%的块状多晶硅，50%/50%混合法块状多晶硅和颗 却的时间，大大提升了工业生产效率。同时CCZ法在坩埚粒硅可增加单炉坩埚装料量29%，同时减少41%的装料 所允许的寿命周期内可完成8-10根的晶棒拉制。
2021-05-17 18:04:34
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利用光学傅里叶变换研究多晶硅绒面微结构形貌与反射率之间的关系。理论分析表明：多晶硅绒面反射率与表面微结构形貌、单位面积上陷阱坑数量有关。如绒面由V字型槽或坑构成，则绒面反射率比较高；如多晶硅表面上密集布满U字形坑或槽、内表面绒面化，这种结构构成的绒面反射率低。实验上用不同比例的酸液刻蚀多晶体表面，用扫描电镜(SEM)观察多晶硅表面SEM图，测量了其表面反射率，分析表面结构形貌与反射率的关系。实验结果与理论分析相吻合。
2021-02-09 09:06:48
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