Keil5实测可以运行，作为4桥臂逆变器的触发信号，PA2和PA3分别作为两路SPWM波形输出口，用来连接两组对角上的开关管。

这是双极 Nrz 和 Rz 的 Simulink

模拟电子技术基础(第五版)：CH04 双极结型三极管及放大电路基础.ppt

设计、仿真和分析了一种双端口单层双极化微带贴片天线。 这两个端口具有 1800 相移，设计用于在 C 波段工作，解决方案频率为 4GHz。 贴片的边缘被蚀刻，这有助于改善设计天线的极化。 插入馈电是用于设计双极化天线的馈电技术，可提供大约 8.5dB 的增益。 本文介绍了双极化贴片天线的参数，如 VSWR、辐射方向图、轴向比和回波损耗，并进行了仿真并记录了结果。 建议的天线适用于回波损耗小于 -10dB 的单个窄带频率，并在卫星通信和天气雷达中得到应用。

在这封信中介绍了一种差分驱动的双极化高增益堆叠式贴片天线。 采用两层堆叠的贴片来增加天线的阻抗带宽。 两个堆叠的贴片中的每一个都插入有四个短路柱，以增强天线增益。 为了验证所提出的设计，我们精心制作了原型并进行了测试。 天线的仿真和测量结果表明，对于小于-10 dB的差分反射系数，分数阻抗带宽大于19％，并且两个极化之间的隔离度较高（| Sdd21 |大于35 dB）。 两个端口的天线增益也高达11 dBi。 此外，在整个工作频带内，交叉极化电平低于-16 dB的情况下，在仿真和测量之间实现了辐射图的良好一致性。

主要收集了III型补偿误差放大器的资料，有论坛讨论，文献，官方文档等。内含元器件选型、PID参数计算等。

网络技术-综合布线-数字脉冲式超宽带接收机的研究和关键模块的设计.pdf

为了改善SiGe异质结双极晶体管（HBT）的电学和频率特性，本文设计了一种新颖的SOI SiGe异质结双极晶体管结构。 与传统的SOI SiGe HBT相比，该器件结构的发射极和集电极区域的窗口宽度更小。 在Si0.85Ge0.15引起的附加单轴应力作用下，集电极区，基极区和发射极区均发生应变，这有利于提高SiGe HBT的性能。 借助SILVACOⓇTCAD工具，数值模拟结果表明，在1062和186 V时分别获得了最大电流增益βmax和Earley电压VA，β与VA的乘积即β×VA为1.975×105当基极中的Ge分量配置为梯形分布时，V和峰值截止频率fT为419 GHz。 与传统的SOI SiGe HBT相比，提出的SOI SiGe HBT架构的截止频率fT改善了52.9％。

背景介绍 双极化乂1乂。天线 天线系统仿真与测试 现网测试 匚作计划及知识产权

双极型三极管的制备工艺流程，从三级管衬底的选择到各个步骤所需的工艺，适合入门