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模拟电子技术基础（第四版） 董诗白 华成英 主编

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模电 华成英 童诗白（第四版）

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《模拟电子技术基础（第5版）》为普通高等教育“十二五”国家级规划教材，是总结首届精品课程——清华大学“电子技术基础”课程的教学实践，在第四版的基础上，根据教学基本要求修订而成的。 　　主要内容包括：导言、常用半导体器件、基本放大电路、多级放大电路、集成运算放大电路、放大电路的频率响应、放大电路中的反馈、信号的运算和处理、波形的发生和信号的转换、功率放大电路、直流电源和模拟电子电路读图。 　　《模拟电子技术基础（第5版）》以导言开篇，以读图结尾，使读者尽快入门，并能站在系统的高度认识模拟电子电全路。该书每章以本章讨论的问题开始，以小结结束；基本知识内容系统、精炼、深入，在讲清电路工作原理和分析方法的同时，尽量阐明电路结构的构思方法，引导读者举一反三。扩展部分篇幅虽少，但内容丰富，可开阔眼界。在例题、思考题、自测题和习题中增加了故障诊断和设计的题目，使提问题的角度更具有启发性、灵活性和实践性。各章的Multisim 应用举例力图具有研究性质，全书的举例基本涵盖模拟电子电路的基本测试方法和仿真方法。 　　 《模拟电子技术基础（第5版）》适于作为高等院校电气信息、电子信息类各专业模拟电子技术基础课程的教材，也可作为工陧技术人员的参考书。

第一章常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ） （6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。 A. ISeU B. TUUIeS C. IS(eU UT－1) （3）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏

模拟电子技术基础 华成英 童诗白 第五版 2015 清华大学的，现在学模电的最好教材，比较新可以贴近实际，强烈推荐。网上找到的资源大多没书签，或者书签有错误。这里保证清晰度足够（扫描书里面算好的了），带完整详细书签

模拟电子技术第四版电子书（童师白版，可不是ppt啊，是真正的电子书），相信大家都知道这本书的名气，所以就不多介绍了。强力推荐。但是因为每次最多20M,所以分成两个来传了。请大家把此第二部分与第一部分下载到同一文件夹，再解压即可。

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