针对周期性缺陷地结构(DGS)滤波器面积大的问题，提出一种采用多谐振点滤波的低成本实现方法。首先分析了哑铃型DGS 不同位置尺寸的变化对其等效电感参数的影响，然后选取合适的尺寸参数以获得合适的不同共模滤波器谐振频点，最后通过组合滤波拓宽差分信号共模滤波器的阻带范围，并可获得较好的阻带抑制深度。HFSS 仿真验证结果表明，该结构的差模信号损耗很小，并且其-20 dB共模阻带范围为4. 1 ～7. 3 GHz。与周期性DGS 相比，该方法在相同共模噪声抑制深度下具有面积缩小约40%、阻带宽度增加50%等优点。

提出一种依据仿真得到的开关电源噪声进行电磁干扰（EMI）滤波器设计的方法。针对Boost功率因数校正变换器，应用SABER软件仿真不同寄生参数下的噪声幅值，得到了影响共模噪声和差模噪声的主要因素：差模噪声主要是由功率器件的高频模型引起的，而共模噪声则与无源器件的高频模型以及MOSFET对地漏电容相关，且随着漏电容的增加而增加。在考虑功率器件的高频模型、MOSFET的对地漏电容以及无源器件的高频寄生参数等影响的情况下，采用噪声仿真的方法分离出变换器的共模噪声和差模噪声。在此基础上，应用插入电压增益的方法，计算出共模滤波器和差模滤波器的截止频率，设计了EMI滤波器。实验验证了仿真的准确性以及滤波器设计方法的正确性。

单介绍EMI滤波器的构成、原理及主要参数。

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一般传感器的输出信号多为微弱的线性直流电压信号，电压值在几毫伏到几十毫伏之间，而测量仪表大多采用单片机进行数据的采集与处理，这就要求对传感器的输出信号进行高精度、线性的放大[1]。本文的设计电路由惠斯通电桥电路和两级运算放大电路构成，第一级运算放大电路由一个双运算放大器构成，双运算放大器可获得的较严格的匹配在性能上有显著提高；第二级运算放大电路实现二次放大和滤波作用。与传统的三运放差分放大电路相比，本设计电路具有较高的共模抑制比和较好线性度。

干扰类型通常按干扰产生的原因、噪声干扰模式和噪声波形性质来划分。按噪声产生的原因不同，分为放电噪声、浪涌噪声、高频振荡噪声等；按噪声的波形、性质不同，可分为持续噪声、偶发噪声等；按噪声干扰模式不同，分为共模干扰和差模干扰。

什么是差模干扰和共模干扰？

详解差模电压和共模电压

通过对最常用的、采用一级共模反馈的两级运放的环路进行稳定性分析，明确得出了其稳定条件，从而理论化了共模反馈电路的设计。然后基于这个条件，并采用Bi-CMOS工艺设计了一种低成本、高稳定、匹配好的共模反馈电路。整个运放可应用于一款高性能音频CLASS-D芯片

：针对传统运算放大器共模抑制比和电源抑制比低的问题，设计了一种差分输入结构的折叠式共源共栅放大器。本设计采用两级结构，第一级为差分结构的折叠式共源共柵放大器，并采用MOS 管作为电阻，进一步提高增益、共模抑制比和电源电压抑制比；第二级采用以NMOS 为负载的共源放大器结构，提高增益和输出摆幅。基于LITE-ON40V 1.0 μm 工艺，采用Spectre 对电路进行仿真。仿真结果表明，电路交流增益为125.8 dB，相位裕度为62.8°，共模抑制比140.9 dB，电源电压抑制比125.5 dB。