波传输矩阵和散射矩阵工具箱。 可用于多层光学系统的波传输矩阵或散射矩阵的简单计算。 散射矩阵可以非常简单地转换为透射率和反射率。

系统研究了基于周期性极化铌酸锂(PPLN)的Solc型平顶滤波器的温度与电场调谐特性，并给出两种调谐方式的调谐率与优缺点。研究了占空比为0.5的PPLN Solc型平顶滤波器的透射谱对温度的依赖关系，发现透射谱的平顶状并没有因为温度改变而破坏，同时最大透射率也没有衰减，当温度从268 K~328 K变化时，中心透过波长从1570~1528 nm连续变化。进一步研究基于占空比为0.75的PPLN滤波器的电场调谐特性，发现Solc型滤波器透射谱在外加电场作用下依然保持平顶状，且中心波长随外电场变化成线性关系。由于电场调谐源于电光效应，其响应速度可达亚纳秒，拥有温度调谐方式无法比拟的快速响应速度，但受限于击穿电压的限制，其调谐范围比温度调谐要小。

为实现光束控制系统的无机械化、快速化和微小化，研制基于介电润湿效应的液体光学棱镜。分析界面形状随电压的变化，推导接触角与两侧工作电压的关系，测量系统对光束的偏转角，讨论接触角饱和及液体折射率对系统控光能力的影响。采用COMSOL软件仿真研究液体粘性对棱镜性能的影响。结果表明，在不同电压组合下，双液体界面从初始弯曲界面变为与水平方向呈不同倾斜角的平界面，从而实现对入射光束方向的控制和偏转。受电润湿饱和现象的影响，该液体棱镜的偏转范围为-10°~+10°。若选用的液体组合可降低甚至消除接触角饱和，且具有大的折射率比，则系统的控光能力将得到大幅提高。当动力粘度取0.03 Pa·s时，系统的响应速度和稳定性能最佳。

为了克服传统分光光度计中棱镜和凹面光栅等分光器件的光谱分光效率低、分辨率不高和光通量小等缺点，采用平面光栅作为色散器件,采用线阵电荷耦合器件(CCD)结合外设互换(PCI)总线高速数据采集卡作为光谱检测系统，并且利用虚拟仪器技术成功研制了一款高性价比小型生化分析仪用分光光度计，同时自制了一套交叉非对称式(CT)型单色仪作为该分光光度计的分光装置。通过实验证明，该小型分光光度计可以实现紫外和可见光波段吸光强度为1000(a.u.)的探测，光谱测量范围可达300~800 nm，波长分辨率可达1 nm，波长重复性优于0.5 nm，在波长为360 nm 处的杂散光小于0.5%，波长准确度优于±0.5 nm。相比其他同类分光光度计，该分光光度计不仅具有后分光、光谱多通道并行分析等优点，同时能优化光路成像系统，提高光谱测量准确度和降低成本。

提出了一种三段式变步长电导增量算法，通过设定步长调整系数的上、下限阈值，将工作步长分为三种模式，保证了在光照强度剧烈变化的情况下，系统仍能以较大步长运行，避免了传统电导增量法动态响应速度慢的问题。仿真结果表明，该算法可将系统的动态响应时间缩短至5~6 ms，且最大功率点附近的功率振荡明显减弱，系统的功率损失降低，跟踪精度得到提高。

光纤器件第三版，对于光纤初学者和线性光学的学习人员有很大的用处

用有限元计算方法仿真了MgF2楔形腔中的色散情况,并研究半径、楔角大小、楔角位置三个参数对整个腔在通讯波段的色散影响。通过从蓝失谐到红失谐的调谐过程,利用得到的色散曲线,根据Lugiato-Lefever方程和热偏移公式仿真孤子的频域和时域图。并且研究了扫描速度、品质因子、泵浦功率等对孤子产生的影响。在结合以往实验和理论基础的情况下,探讨了利用MgF2晶体腔产生孤子的一些重要参数。数据结果对制备低反常色散MgF2楔形腔及在此腔中产生孤子梳具有指导意义。

为使不同频带的电磁波沿着各自的信道传输，在二维介质柱正方格光子晶体中设计了3 种典型的信道分路滤波器(CDF)结构。利用时域有限差分法研究了其特性，得到了各个输出端口对应的传输特性曲线。各信道分路输出信号在其通带中心频率处强度最大，随远离中心频率向高频或低频移动各信道输出信号强度将迅速衰减。该类CDF 结构各信道分路具有选频性能强，频带中心频率串扰弱，工作波长范围宽等特性，可用作设计窄带带通滤波器、或带阻滤波器等微型器件。因此，在光子晶体片上的光路设计、波分复用光通信系统设计等方面存在潜在的应用价值。

基于平行波导横向耦合理论，研究了矩形气孔阵列的双芯光子晶体光纤的耦合特性，并数值计算了光纤的结构参量对耦合特性的影响。计算结果表明，在1.55 μm波长处，增大竖直方向气孔间距或缩小横向气孔间距并减小气孔半径都有利于减小光纤的耦合长度，耦合长度差也相应减小。在此基础上设计了一种基于矩形晶格结构具有耦合长度极短(125 μm)、分离比较高(38 dB)的偏振分束器。

在空穴传输层(HTL)和发光层(EML)界面加入缓变结的蓝色有机电致发光器件(Cell-GJ)。与传统的异质结结构的有机电致发光器件(Cell-HJ) 相比,寿命有了明显的提高:半寿命在初始亮度为100 cd/m2的条件下达到了8460 h,比Cell-HJ的半寿命长6倍。寿命的延长归功于穿过非突变界面的局部电场的消除,减少了焦耳热的产生从而提高了器件的寿命。但是实验证实Cell-GJ的效率比Cell-HJ的效率低。为了提高Cell-GJ的效率在其TBADN/AlQ交界处蒸镀GaQ薄层制得一种新型器件Cell-GJGaQ。由于GaQ的最低未占有轨道能级介于AlQ和TBADN之间,从AlQ到GaQ再到TBADN形成的多阶势垒可以极大地提高电子(少子)注入,从而使发光效率也有了明显改善。 研究结果表明Cell-GJGaQ的效率比Cell-GJ的效率高20%,半寿命同时也达到了6998 h,比Cell-HJ长5倍,整体性能有了较大提高。