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Cortex-M3在架构上进行的多项改进,包括提升性能的同时又提高了代码密度的Thumb-2指令集,大幅度提高的中断响应,而且所有新功能都同时具有业界最优的功耗水平。目前ST是第一个推出基于这个内核的主要微控制器厂商。STM32F100C8T6B的目的是为MCU用户提供新的自由度。它提供了一个完整的32位产品系列，在结合了高性能、低功耗和低电压特性的同时，保持了高度的集成性能和简易的开发特性。1.STM32F103系列微处理器是首款基于ARM7-M体系结构的32位标准RISC（精简指令集）处理器，提供很高的代码效率，在通常8位和16位系统的存储空间上发挥了ARM内核的高性能。该系列微处理器工作频率为72MHz,内置高达128K字节的 Flash存储器和20K字节的SRAM,具有丰富的通用I/O端口。 2.个12位模数转换器，多达16个外部输入通道，转换速率可达1MHz,转换范围为0~36V;具有双采样和保持功能；内部嵌入有温度传感器，可方便的测量处理器温度值。[14]引用14 3.灵活的7路通用DMA可以管理存储器到存储器、设备到存储器和存储器到设备的数据传输，无须CP

train.src （训练集的输入（短文本）） train.tgt （训练集的输出（摘要）） test.src （测试集的输入（短文本）） test.tgt （测试集的输出（摘要）） vaild.src （验证集的输入（短文本）） vaild.tgt （验证集的输出（摘要））

包括两部分： 1.多风扇控制芯片MAX6651数据手册的中文翻译 2.基于c8051f020的控制代码

自然语言处理的子任务命名实体识别中文的数据集，很全

SX1278中文数据手册，SX1276/77/78 收发器主要采用 LoRaTM 远程调制解调器，用于超长距离扩频通信，抗干扰性强，能够最大限度降低电流消耗。

(3) 建议的负载电容与对应的晶 体串行阻抗(RS) (4) RS = 30Ω 30 pF i2 HSE驱动电流 VDD=3.3V，VIN=VSS 30pF负载 1 mA gm 振荡器的跨导 启动 25 mA/V tSU(HSE) (5) 启动时间 VDD是稳定的 2 ms 1. 谐振器的特性参数由晶体/陶瓷谐振器制造商给出。 2. 由综合评估得出，不在生产中测试。 3. 对于CL1和CL2，建议使用高质量的、为高频应用而设计的(典型值为)5pF~25pF之间的瓷介电容器，并挑选符合要 求的晶体或谐振器。通常CL1和CL2具有相同参数。晶体制造商通常以CL1和CL2的串行组合给出负载电容的参数。 在选择CL1和CL2时，PCB和MCU引脚的容抗应该考虑在内(可以粗略地把引脚与PCB板的电容按10pF估计)。 4. 相对较低的RF电阻值，能够可以为避免在潮湿环境下使用时所产生的问题提供保护，这种环境下产生的泄漏和偏 置条件都发生了变化。但是，如果MCU是应用在恶劣的潮湿条件时，设计时需要把这个参数考虑进去。 5. tSU(HSE)是启动时间，是从软件使能HSE开始测量，直至得到稳定的8MHz振荡这段时间。这个数值是在一个标准 的晶体谐振器上测量得到，它可能因晶体制造商的不同而变化较大。 图21 使用8MHz晶体的典型应用 1. REXT数值由晶体的特性决定。典型值是5至6倍的RS。 使用一个晶体/陶瓷谐振器产生的低速外部时钟 低速外部时钟(LSE)可以使用一个32.768kHz的晶体/陶瓷谐振器构成的振荡器产生。本节中所给出的 信息是基于使用表24中列出的典型外部元器件，通过综合特性评估得到的结果。在应用中，谐振器 和负载电容必须尽可能地靠近振荡器的引脚，以减小输出失真和启动时的稳定时间。有关晶体谐振 器的详细参数(频率、封装、精度等)，请咨询相应的生产厂商。(译注：这里提到的晶体谐振器就是 我们通常说的无源晶振) 注意： 对于CL1和CL2，建议使用高质量的5pF~15pF之间的瓷介电容器，并挑选符合要求的晶体或谐振器。 通常CL1和CL2具有相同参数。晶体制造商通常以CL1和CL2的串行组合给出负载电容的参数。 负载电容CL由下式计算：CL = CL1 x CL2 / (CL1 + CL2) + Cstray，其中Cstray是引脚的电容和PCB板或PCB 相关的电容，它的典型值是介于2pF至7pF之间。 警告： 为了避免超出CL1和CL2的 大值(15pF)，强烈建议使用负载电容CL≤7pF的谐振器，不能使用负载电 容为12.5pF的谐振器。 例如：如果选择了一个负载电容CL=6pF的谐振器并且Cstray=2pF，则CL1=CL2=8pF。 参照2009年3月 STM32F103xCDE数据手册 英文第5版 （本译文仅供参考，如有翻译错误，请以英文原稿为准） 42/87

CS5532中文数据手册

74HC595是一颗高速CMOS 8位3态移位寄存器/输出锁存器芯片,用于LED广告显示屏，LED数码屏等。中文数据手册

19.12 随机数的产生 RF 内核可以产生随机比特。当产生随机比特时要求芯片必须处于 RX。还必须确保芯片处于 RX 足够长的 时间，用于瞬态消失。完成这一操作的一个很方便的方式是等待 RSSI 有效信号变为高。 来自 I 或 Q 通道的单个随机比特可以从寄存器 RFRND 中读。 随机测试表明，这一模块良好。但是，存在一个微小的 dc 组件。在一个简单的测试中，RFRND.IRND 寄 存器被读数次，数据按字节分组。大约读出 2000 万字节。当解释为 0 到 255 之间的无符号整数，平均值是 127.6518，表示有一个 dc 组件。 214 的 FFT 首字节如图 19-19。注意 dc 组件是清晰可见的。2000 万字节的直方图（32 位二进制）如图 19-20。 状态名称 状态号码，十进制 号码，十六进制 tx_active rx_active 空闲 0 0x00 0 0 RX 校准 2 0x02 0 1 SFD 等待 3-6 0x03–0x06 0 1 RX 7-13 0x07–0x0D 0 1 RX/RX 等待 14 0x0E 0 1 RXFIFO 复 位 16 0x10 0 1 RX 溢出 17 0x11 0 0 TX 校准 32 0x20 1 0 TX 34-38 0x22–0x26 1 0 TX 最后 39 0x27 1 0 TX/RX 发送 40 0x28 1 0 ACK 校准 48 0x30 1 0 ACK 49-54 0x31–0x36 1 0 ACK 延迟 55 0x37 1 0 TX 下溢 56 0x38 1 0 TX 关闭 26，57 0x1A, 0x39 1 0