基于硅纳米线压敏电阻的高信噪比高灵敏度SOI压力传感器的设计优化与制造

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SOI Circuit Design Concepts SOI Circuit Design Concepts 英文，文字版

SOI衬底材料用于制备高速、高抗辐射和低功耗器件和大规模集成电路（IC），与其它材料相比它具有速度高、抗辐射性强、功耗小等优点，应用于军事和航天等特殊领域，但是SOI衬底材料制备困难，成本高[8]。目前，制备SOI材料常用的技术有三种[9]：在蓝宝石衬底上的异质外延技术（SOS）、氧离子注入隔离技术（SMIOS）、硅-硅直接键合技术（SDB）。异质外延工艺是在与硅材料晶格结构相近的绝缘材料蓝宝石上面外延一层单晶硅。由于蓝宝石和硅的晶格结构的不完全相同导致硅外延层中缺陷密度高，在外延的界面处产生应力和位错，并且蓝宝石非常昂贵，难以大规模生产，只是应用于军事和航天等领域。 氧离子注入隔离技术（SM

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get_soi(start_date,end_date) 检索由 UCAR 使用 Trenberth (1984) 概述的标准化方法计算的南方涛动指数 (SOI) 的每月标准化值，以最大化信号。 请注意，应谨慎使用 1935 年之前的 SOI 值。 1935 年之前大溪地气压值的一致性和质量存在问题。 SOI 或厄尔尼诺南方涛动 (ENSO) 是一种通过西太平洋压力异常测量的气候模式。 正值高表示拉尼娜年，负值低表示厄尔尼诺年。 输入参数：（可选） start_date = Matlab 的 datenum 格式的范围的开始日期（例如 datenum(1936,4,1) 表示 1936 年 4 月 1 日）。 适用于1866 年 1 月或之后，但 1935 年之前的值是可疑的。 start_date 是一个可选输入，可以是在不声明 end_date 的情况下使用。 end_date