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2N7002一款可应用电平转换的
NMOS
.pdf
2N7002一款可应用电平转换的
NMOS
.pdf
2021-10-15 13:02:19
1.14MB
NMOS
1
LTspiceInfineon
NMOS
Library:接近2000种Infineon
NMOS
功率MOSFET型号-用于LTspice!-源码
LTspice Infineon
NMOS
库 更新: LTspice英飞凌
NMOS
库是一个半完整的英飞凌功率N沟道MOSFET套件,最高功率为950V,截至2021年1月的电流。 它缺少功率模块,双MOSFET等奇数符号。 它使用Infineon的公共库,但包含本机LTSpice符号,从而易于使用和安装。 如果可用,它将使用其本机LTSpice库,但如果不使用,则将使用PSpice库。 LTSpice的PSpice库没有问题。 不幸的是,没有包含加密符号,但是只有少数英飞凌模型使用加密,因此这并不是一个太大的问题。 当前的型号和符号计数: 3849个N沟道MOSFET和计数。 安装 下载。 解压缩下载的文件。 苹果系统: 复制LTspiceInfineon
NMOS
Library/sym/Infineon
NMOS
文件夹进入~/Library/Application\ Suppo
2021-09-17 09:06:44
3.05MB
Ruby
1
P-
NMOS
管H桥驱动原理.pdf
P-
NMOS
管H桥驱动原理.pdf
2021-09-10 13:02:15
315KB
H桥驱动步进电机
1
行业资料-电子功用-改善沟槽型
NMOS
漏源击穿电压的方法及其结构.zip
行业资料-电子功用-改善沟槽型
NMOS
漏源击穿电压的方法及其结构.zip
2021-08-23 09:03:47
239KB
行业资料-电子功用-改善沟槽型N
行业-电子政务-
NMOS
晶体管及其形成方法、SRAM存储单元电路.zip
行业-电子政务-
NMOS
晶体管及其形成方法、SRAM存储单元电路.zip
2021-08-18 18:03:26
826KB
NMOS
工艺-4-集成电路器件工艺
4.3.2
NMOS
工艺 由于电子的迁移率e大于空穴的迁移率h,即有e2.5h, 因而,N沟道FET的速度将比P沟道FET快2.5倍。那么,为什么MOS发展早期不用
NMOS
工艺做集成电路呢?问题是
NMOS
工艺遇到了难关。所以, 直到1972年突破了那些难关以后, MOS工艺才进入了
NMOS
时代。 *
2021-05-18 19:44:03
2.39MB
ic
微电子
1
SVT4607SA 说明书_0.1.pdf
N+P沟道增强型场效应管
2021-05-13 17:03:10
377KB
NMOS
PMOS
1
nmos
高端驱动自举电路
一、电容自举驱动
NMOS
电路 VCC经过二极管D2、电容C2、电阻R1到地,所以加载在电容C2两端的电压约为14V。 图1电容自举驱动
NMOS
电路 (1) 当V1输入高电平时,Q1、Q4导通,B通道输出高电平,Q2截止,C通道输出高电平,Q3导通,D通道输出高电平48V,由于C2两端电压14V,所以Q3的导通使电容抬升了VDD的电压,即电容C2的正极电压位62V左右,经过三极管Q4、二极管D1到达Q3的栅极,电容C2起到了自举抬升电压的作用,使Q3持续导通。 (2) 当V1输入低电平时,Q1、Q4截止,B通道输出低电平,Q2导通,Q2的导通为Q3的栅极提供放电电路(栅极电压通过Q2、电阻R1放电),使得电容C2的负极电压接近0V,即D通道输出低电平。 图2 电容自举驱动
NMOS
电路仿真 二、MOSFET驱动电路 图3 MOSFET驱动电路 (1) 当V1=V2=5V时,Q1、Q4导通,Q2截止,VCC经过D2、Q4、D1、R4到达Q3的栅极,Q3导通;Q6、Q7截止,Q8导通,Q8的导通为Q5的栅极提供放电回路,Q5截止; (2) 当V1=V2=0
2021-05-12 14:31:46
225KB
NMOS
驱动自举电路
文章
基础课
1
光耦H桥P-
NMOS
管电路.rar
PWM3.3V控制H桥电路,可输出0-12V直流电压,电流可承受15A,光耦隔离,单片机输出PWM到光耦电路控制H桥电路
2021-04-22 23:22:03
81KB
H桥电路
光耦
P-NMOS管
电路设计
1
nmos
转移特性曲线hspice程序——
nmos
_tcc.sp
nmos
的转移特性曲线hspice程序 用于基础学习hspice仿真的新手 完美运行
2021-04-01 19:17:11
363B
hspice
转移特性曲线
nmos
1
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