该文档详解的解析了NAND Flash的编程细节，从NAND Flash 的datasheet分析，包括硬件工作原来、操作时序讲解，到最后NAND Flash读写函数的实现，都是本人在实践中的学习和总结，与大家分享，希望能够提供一些帮助。

Nand_Flash_介绍及高通nand_flash驱动

NAND Flash 读写驱动 Flash型号：S34MS01G2 主要功能： CheckS34MS01G2，核对ID，检查NAND Flash 是否正常工作 BlockErase， 擦除Block ProgramPage/ProgramBlock， 写Page或者写Block，写Block用了Cache，会更快 ReadPage/ReadBlock, 读Page或者读Block，读Block用了Cache，会更快

NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星 k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据 的，故实际中可使用的为64MB。 NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：

本资源为三星系列Nand Flash芯片K9F5608的驱动代码，用C语言开发，具有良好的编程风格，已经过实际调试验证，可用于实际工程开发。

三星K9GAG08U0D--2G Nand Flash驱动(S3C6410--4Bit硬件ECC校验)，完全原创，在ok6410（2G nand falsh）上测试通过，能实现6410硬件编解码 4 bit ECC并能纠正数据错误！

stm32 通过FSMC驱动nandflash 驱动代码，nansflash为K9F1G08

STM32G070xx读写内部FLASH，本人使用STM32G070RET6芯片，使用LL库已调通，由于都是寄存器配置，使用HAL库时修改定义后也是可用；与STM32L4xx芯片配置基本相同，修改少量寄存器即可；

详细列出了龙芯SPI NOR FLASH的驱动修改的地方，本文档MOCK历时接近一个月编写，包括PMON和Kernel中SPI NOR FLASH的驱动，很详细。

在s32k144上直接对寄存器操作的驱动程序,有利于对此芯片的深刻学习及研究.并附带了freeRtos的移植.使用的keil环境,并兼容s32-ds环境上使用.