mos管驱动电流计算

因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。的驱动常根据和的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。　　在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、电压、电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。　　当与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接与MOS管就显得尤其重要了。　　一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：　　(1)

用到的mos管驱动板。实测可用

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图 13.11 平行多面体的体积 §13.4.1 线性变换 p1q 平移变换. 设 v0 P Rn 为固定的向量, 考虑线性变换 ϕ : Rn Ñ Rn, ϕpxq “ x ` v0. 根据矩形体积的平移不变性容易知道, 如果 A Ă Rn 可求体积, 则 ϕpAq 也 是可求体积的, 并且体积不变, 这可称为体积的平移不变性. p2q 伸缩变换. 设 λi P R p1 ď i ď nq 考虑线性映射 ϕ : Rn Ñ Rn: ϕpx1, x2, ¨ ¨ ¨ , xnq “ pλ1x1, λ2x2, ¨ ¨ ¨ , λnxnq, px1, x2, ¨ ¨ ¨ , xnq P Rn. 矩形 I “ ra1, b1s ˆ ¨ ¨ ¨ ˆ ran, bns 在 ϕ 下的像仍为矩形 (可以退化), 其体积为 vpϕpIqq “ |λ1| ¨ ¨ ¨ |λn|vpIq “ | detpϕq|vpIq. 将矩形 I 换成一般的可求体积的图形, 上述公式仍然成立, 这可从下面的覆盖引 理看出. 引理 13.4.1 (覆盖引理之一). 设 Ω 为 Rn 中可求体积的有界集合, 则任给 ε ą 0, 存在有限个矩形 tIiu 与 tJju, 使得 ď i Ii Ă Ω, ÿ i vpIiq ą vpΩq ´ ε; ď j Jj Ą Ω, ÿ j vpJjq ă vpΩq ` ε, 其中 tIiu 的内部互不相交. 证明. 取包含 Ω 的矩形 I, 由体积的定义, 有 ż I χΩ “ vpΩq, 因此, 任给 ε ą 0, 存在 I 的分割 π “ tIiju, 使得 | ÿ ij χΩpξijqvpIijq ´ vpΩq| ă ε, @ ξij P Iij .

MOSFET 因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET 的驱动常 根据电源 IC 和 MOSFET 的参数选择合适的电路。下面一起探讨 MOSFET 用于开关电源的驱动电路

MOSFET管经典驱动电路设计大全MOS管驱动电路设计资料（工作原理+电路设计+问题总结），可以做为你的学习设计参考、

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最 大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不 是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原 创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。

几种常见的高端MOS驱动电路心得。IR常见的高端驱动芯片

AN786 MOS管驱动电流计算