LDO线性稳压器中的折返式限流电路设计，张帆，吕亚兰，本文提出了一种低功耗、高可靠性的限流电路。通过增加折返功能有效地降低了电路的功耗，并且提高了系统的可靠性。对该结构原理进

提出了一种应用于线性稳压器（LDO）的可编程电流限电路，可实现调整管电流的精准采样。根据输入—输出压差和负载电流的不同工作情况，通过调节片外的限流电阻来改变电流限值的大小。基于TSMC 0.25 μm BCD工艺进行设计，采用H-spice进行仿真验证。仿真结果表明，LDO在2 V~5.5 V的输入电压、1.2 V~5 V的输出电压范围内，实现了最大3 A带载能力的输出，该可编程电流限电路可将电流限值在0.2 A~4.5 A内编程。

本文设计了一种用HHNEC 0.35μmBCD 工艺实现的LDO 线性稳压器， 该LDO 是一款低功耗，带宽大的低压差线性稳压器。对其结构和工作原理进行分析， 讨论了关键电路的设计， 模拟结果验证了设计的正确性。

大电流、高稳定性的LDO线形稳压器 以设计输出电流为800mA的高稳定线性稳压器(10w-dropout voltage regulator，LDO)为目标，利用工作在 线性区的MOS管具有压控电阻特性，构造零点跟踪电路以抵消随输出电流变化的极点，并且采用了改进型米勒补 偿方案使电路系统具有60。的相位裕度，达到了大输出电流下的高稳定性要求．另外，分析了电路在转换发生时电 路结构参数和负载整流特性的关系，提出了一种能在瞬间提供大电流的转换速率加强电路，达到了在负载电流从 800mA到10mA跳变时，输出电压的跳变量控制在60mY以内，并且最长输出电压恢复时间在500ps以内．芯片采 用CSMC公司的0．6“m CMOS数模混合信号工艺设计，并经过流片和测试，测试结果验证了设计方案．

设计了一种结构简单的基于IDO稳压器的带隙基准电压源。由于目前LDO芯片的面积越来越小，所以在传统带隙基准电压源的基础上，对结构做了简化及改进，在简化设计的同时获得了高的性能。该带隙基准使用三极管作为运算放大器的输入，同时省去了多余的等效二极管，并将此结构应用于LDO结构中。对带隙基准的仿真结果表明，在5V的电源下，产生25×10-6/℃温度系数的带隙基准电压。低频时电源抑制比为138dB。将该带隙基准结合缓冲器应用于LDO稳压器中，对LDO的仿真结果表明，负载特性良好，相位裕度为63.3度。线性负载率也

LDO芯片设计报告及电路分析报告

LDO稳压器基本工作原理及环路补偿pdf,由于超低ESR电容诸如陶瓷电容可以支持快速变化的负载瞬态，以及可以旁路线性稳压器不能抑制的、来自开关转换器电源的特高频噪声，从而广受欢迎

设计了一种基于0．25 μm CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。电路采用由电阻电容反馈网络在LDO输出端引入零点，补偿误差放大器输出极点的方法，避免了为补偿LDO输出极点，而需要大电容或复杂补偿电路的要求。该方法电路结构简单，芯片占用面积小，无需片外电容。Spectre仿真结果表明：工作电压为2．5 V，电路在较宽的频率范围内，电源抑制比约为78 dB，负戢电流由1 mA到满载100 mA变化时，相位裕度大于40°，LDO和带隙电压源的总静态电流为390μA。

tps78601(单输出 LDO、1.5A、可调节电压（1.2 至 5.5V）、低噪声、高 PSRR).pdf

具有快速响应特性的LDO的设计