四元饱和硝酸盐水溶液体系{ H2O + NH4NO3(sat) + Nd(NO3)3 + Y(NO3)3 }的热力学研究—与类理想溶液模型的对比，何美，王之昌，在T = 298.15 K下，利用等压法系统研究了四元饱和硝酸盐水溶液体系{ H2O + NH4NO3(sat) + Nd(NO3)3 + Y(NO3)3 }的热力学性质。以CaCl2水溶液为参考溶�

直流偏磁下纳米晶铁芯的高频饱和磁特性 ，邹亮，伍珈乐，应用于高频电磁装备中的纳米晶铁芯可能工作在直流偏磁场中，而偏置场对铁芯饱和特性的影响目前尚不明确。本文首先基于随机各向异

三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和。 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和？ 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5mA,用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA,

针对带执行器饱和的多关节刚性机械臂系统, 提出一种基于RBF 神经网络补偿的输出反馈动态面控制. 通过观测器实现角速度的观测, 采用RBF 网络实现执行器饱和的补偿; 通过Lyapunov 方法证明闭环系统的稳定性, 实现高精度的角度和角速度跟踪. 仿真结果表明, 所提出的方法能够有效补偿系统存在的执行器饱和, 显著减小跟踪误差, 并且对于外界干扰具有一定的鲁棒性.

针对永磁同步电动机矢量控制中不能对定子电流d轴分量和q轴分量进行动态解耦的特点, 采用双PI动态解耦的方法, 避免了反馈解耦、对角矩阵解耦等方法中电机参数变化对解耦效果影响较大的问题, 以及逆系统方法、基于微分几何原理解耦方法的复杂性。由于逆变器的 饱和电压输出会导致电流的超调和振荡, 在动态解耦的基础上提出了一种电压抗饱和的设计方法, 并且通过进行补偿将双PI动态解耦控制和电压抗饱和设计有效地结合起来。仿真验证了这种动态解耦控制方法的有效性。

磁环电感及饱和磁通计算 磁环电感及饱和磁通计算 磁环电感及饱和磁通计算

众所周知，一个普通的双极型晶体管有二个PN结、三种工作状态（截止、饱和、放大）和四种运用接法（共基、共发、共集和倒置）。对这两个PN结所施 加不同的电位，就会使晶体管工作于不同的状态：两个PN结都反偏——晶体管截止；两个PN结都导通——晶体管饱和：一个PN结正偏，一个PN结反偏——晶 体管放大电路（注意：如果晶体管的发射结反偏、集电结正偏，就是晶体管的倒置放大应用）。要理解晶体管的饱和，就必须先要理解晶体管的放大原理。 　　从 晶体管电路方面来理解放大原理，比较简单：晶体管的放大能力，就是晶体管的基极电流对集电极电流的控制能力强弱。控制能力强，则放大大。但如果要从晶体管 内部的电子

水和水蒸汽热力性质IAPWS-IF97公式其通用计算模型

1.3.6抗积分饱和PID控制算法及仿真 积分饱和现象 　　　所谓积分饱和现象是指若系统存在一个方向的偏差，PID控制器的输出由于积分作用的不断累加而加大，从而导致u(k)达到极限位置。此后若控制器输出继续增大，u(k)也不会再增大，即系统输出超出正常运行范围而进入了饱和区。一旦出现反向偏差，u(k)逐渐从饱和区退出。 　　进入饱和区愈深则退饱和时间愈长。此段时间内，系统就像失去控制。这种现象称为积分饱和现象或积分失控现象。

摘要：介绍了饱和电感的分类及其基本物理特性，总结了可饱和电感在尖峰抑制器、磁放大器、移相全桥ZVSPWM变换器、谐振变换器和逆变电源中的应用。 关键词：可饱和电感；尖峰抑制器；磁放大器；移相全桥；谐振变换器；逆变电源引言饱和电感是一种磁滞回线矩形比高，起始磁导率高，矫顽力小，具有明显磁饱和点的电感，在电子电路中常被当作可控延时开关元件来使用。由于其独特的物理特性，使之在高频开关电源的开关噪声抑制，大电流输出辅路稳压，移相全桥变换器，谐振变换器及逆变电源等方面得到了日益广泛的应用。图1 饱和电感的B-H特性1 饱和电感的分类及其物理特性1.1 饱和电感的分类饱和电感可分为自饱和和可控饱和