利用热激电流(TSC)技术测量了聚合物光折变材料聚乙烯咔唑(PVK)的退极化电流曲线, 获得了热激弛豫过程的活化能。发现聚乙烯咔唑材料的热激退极化电流曲线共有两个峰, 低温峰位于338 K,对应的活化能约0.6 eV, 高温峰位于417 K, 对应的活化能范围在0.53～1.00 eV, 在0.77 eV处呈现最大值, 陷阱密度极大值为5.7×1013 cm-3。同时证明了低温峰是源于偶极子退取向弛豫,高温峰则来自于陷阱中空穴的热释放。
2021-02-26 16:08:05
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利用带间激发的超快瞬态吸收光谱，研究了导电(n型)氮(N)掺杂和半绝缘(SI)钒(V)掺杂6H-SiC晶片的超快载流子复合动力学过程。N杂质和/或固有缺陷的间接复合主导了n型6H-SiC的载流子弛豫，其寿命超过了10 ns。与n型6H-SiC相比，V掺杂对SI-6H-SiC的瞬态吸收具有显著的调制作用，这源于由V深能级的载流子俘获引起的一个额外的载流复合过程。载流子俘获(寿命约为160 ps)比间接复合快2个数量级以上。通过简化能级模型并进行全局分析，研究了6H-SiC的载流子复合机制，准确地获得了6H-SiC的载流子寿命。
2021-02-22 10:05:44
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搭建了一套基于Photo-CELIV测量载流子迁移率的实验系统。采用Nd3+YAG脉冲激光器作为诱导光源，在1~20 Hz的工作频率下，实验系统可输出波长为532 nm、脉宽为10 ns的激光脉冲，其能量在0.1~1 mJ范围内可调，光斑直径小于2 mm，激光器持续工作5 h后的能量不稳定度为±8%。该研究为半导体材料载流子迁移率的测量提供了一定的参考。
2021-02-04 18:12:40
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