SIM8200G是支持多频段5G NR /LTE-FDD /LTE-TDD /HSPA +模块，支持R15 5G NSA /SA最高4Gbps的数据传输。它具有强大的扩展能力，具有丰富的接口，包括PCle，USB3.1，GPIO等。该模块为客户的应用程序提供了极大的灵活性和易于集成的能力。SIM8200G采用LGA封装，AT命令与SIM8300系列模块兼容。这也最大程度地减少了客户的成本，并缩短了上市时间。它专为在各种无线传播条件下，需要大吞吐量的数据通信应用而设计。由于高效，安全和灵活的独特属性，该模块非常适合许多应用。 资料包包含： 产品SPEC、Schematic&Layout_checklist、兼容设计手册、硬件设计手册、开发板资料、硬件参考设计原理图、模块封装文件钢网文件等。

交流铁芯线圈的电磁关系 下图是交流铁芯线圈电路： 交流铁芯线圈电路 线圈的匝数为【N】，当线圈两端加上正弦交流电压【u】时，就有交变励磁电流【i】流过，在交变磁通势Ni的作用下产生交变的磁通，其绝大部分通过铁心，称为主磁通【Φ】，但还有很小部分从附近空气中通过，称为漏磁通【Φo】。这两种交变的磁通都将在线圈中产生感应电动势【e】和【eo】。 通过前人的分析和计算得知： 外加电压【u】的相位超前于铁芯中磁通【Φ】90°。 在忽略线圈电阻和漏磁通的条件下，当线圈匝数【N】和电源频率【f】一定时，铁心中的磁通最大值西【Φm】近似与外加电压有效值【U】成正比，而与铁心的材料及尺寸无关。 也就是说，当线圈匝数【N】、外加电压【u】和频率【f】都一定时，铁心中的磁通最大值【Φm】将保持基本不变。 这个结论对于分析交流电机、电器及变压器的工作原理是十分重要的。 交流铁芯线圈的功率损耗 在交流铁芯线圈电路中，线圈和铁芯中都会有功率损耗。 【∆Pcu】称为铜损，是由线圈自身电阻决定的，∆Pcu=R*I*I。 【∆Pfe】称为铁损，是由下述磁滞损耗和涡流损耗共同决定的，∆Pfe

在塑料模的设计过程中,经常会遇到各种形式的圆弧内形,使模具的设计变得很困难,为了有效地解决这一难点,探讨了用滑块连杆、齿轮齿条、油缸驱动浮动滑块、开模动作为动力源的浮动滑块机构等可行圆弧抽芯结构的工作原理和结构特点,对塑料模设计过程中遇到的圆弧抽芯的结构设计具有一定的指导意义。

集成电路是现代信息技术的产业核心和基础。随着信息技术的不断发展，人工智能、自动驾驶、云计算等应用通常要分析和处理海量数据，这对计算装置的算力提出了全新的要求。例如，在人工智能领域，人工智能大模型的算力需求在以每 3-4 个月翻倍的速度增长。然而，集成电路设计遇到“功耗墙”、“存储墙”、“面积墙”，传统集成电路尺寸微缩的技术途径难以推动算力持续增长。另一方面，在“万物智能”和“万物互联”的背景下，产业应用呈现出“碎片化”特点，需要探索新的芯片与系统的设计方法学，满足应用对芯片敏捷设计的要求。 对于我国而言，集成芯片技术对于集成电路产业具有更加重要意义。由于我国在集成电路产业的一些先进装备、材料、EDA 以及成套工艺等方面被限制，导致我国短期内难以持续发展尺寸微缩的技术路线。集成芯片技术提供了一条利用自主集成电路工艺研制跨越 1-2 个工艺节点性能的高端芯片技术路线。同时，我国集成电路产业具有庞大市场规模优势，基于现有工艺制程发展集成芯片技术可以满足中短期的基本需求，并可借助大规模的市场需求刺激集成芯片技术的快速进步，走出我国集成电路产业发展特色。

EDA技术与VHDL 陈 杨

这是红芯电子的altera开发板资料，这是系列资料的第六部分，也是最后一部分，后续没有了，视频教程太大就不上传，有需要的朋友可以私信我

直流偏磁下纳米晶铁芯的高频饱和磁特性 ，邹亮，伍珈乐，应用于高频电磁装备中的纳米晶铁芯可能工作在直流偏磁场中，而偏置场对铁芯饱和特性的影响目前尚不明确。本文首先基于随机各向异

IP核芯志 数字逻辑设计思想，值得学习的FPGA资料。很好的一本书

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