28.7 编程方法 28.7.1 控制 Flash 存储器 下图显示了 Flash 存储器操作过程。 图 28-12. Flash 存储器操作过程 28.7.2 Flash存储器编程模式 如果通过专用 Flash 编程器重写 Flash 存储器的内容，则必须将 78K0/LE2 设置为 Flash 存储器编程模式。而要设置 该模式，必须将 FLMD0 引脚连接到 VDD，并对复位信号清零。 当在线写 Flash 存储器时，使用跳线改变模式。 图 28-13. Flash 存储器编程模式 表 28-6. 复位释放后 FLMD0 引脚与操作模式之间的关系 FLMD0 操作模式 0 正常操作模式 VDD Flash 存储器编程模式 开始 提供 FLMD0脉冲 设置 Flash 存储器编程模式 选择通信模式 对 Flash 存储器进行操作 结束? 否 是 结束 FLMD0脉冲 Flash 存储器编程模式

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PAGE8用编程方法实现永久保存V存储区数据问题描述:在S7-200系统中使用内置的超级电容或外加电池卡为V数据区等提供电源缓冲；可以将M存储区的前14个字节（MB0-MB13）设置为保存，实现CPU断电时自动将其中数据写入相应的EEPROM的功能；建立项目时可以在"数据块"中预置运行过程中不须变化的工艺参数等数据，也可以下载到EEPROM中得到永久保存。但是，如果要实现掉电保护的数据量较大，就需要编程将这些变量写EEPROM。问题解决描述:在解决这个问题上我用了两个EEPROM写入的功能子程序。它们分别用于保存连续多个变化

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三台电机的循环启停运行控制 三台电机接于Y1、Y2、Y3。要求它们相隔5s启动，各运行10s停止并循环。 5s 5s 5s 5s Y1 Y2 Y3 图2-24 三台电机工作时序 X1 T0 X0 C 0 C2 X0 PLS M0 RST C3 M0 RST C2 C3 END RST C1 RST C 0 T0/K50 T0 X0 C1 X0 C1 C3 C0/K1 C1/K2 C2/K3 C3/K4 Y1 Y2 Y3 脉冲发生器 5s后输出 10s后输出 15s后输出 20s后输出 图 2-25梯形图 时序图分析： 电机Y1、Y2、Y3的控制逻辑和间隔5s的“时间点”有关，每个“时间点”都有电机启停。因而用程序建立这些“时间点” 是程序设计的关键。 C0输出 C1输出 C2输出 C3输出

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本设计考虑采用可编程序控制器、继电器和传感器技术，设计出一套实用水位控制方案。方案在硬件基础上配合软件实现了低警戒水位报警、并可切换手动/自动两种工作方式。利用高可靠性的PLC系统实现水塔水位的自动控制从而提高水塔供水的可靠性。该系统具有水源检测、电机故障检测、报警等功能，采用独立的电路实现超高、低警戒水位报警，超高警戒水位处理，并配有手动控制电机电路。