碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，是高温，高频，抗辐照，大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展，介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景。同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.
2022-03-09 17:13:23
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三代半导体材料之间的主要区别是禁带宽度。现代物理学描述材料导电特性的主流理论是能带理论， 能带理论认为晶体中电子的能级可划分为导带和价带，价带被电子填满且导带上无电子时，晶体不 导电。当晶体受到外界能量激发（如高压），电子被激发到导带，晶体导电，此时晶体被击穿，器 件失效，禁带宽度代表了器件的耐高压能力。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁 带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。第三代半导体材料能量密度更高。以氮化镓为例，其形成的HEMT器件结构中，其能量密度约为5- 8W/mm，远高于硅基MOS器件和砷化镓射频器件的0.5-1W/mm的能量密度，器件可承受更高的 功率和电压
2022-02-28 22:49:37
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中国金属学会团体标准《碳化硅质耐火材料抗氧化性试验方法》编制说明 .pdf
2022-01-28 09:03:40
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碳化硅氮离子注入模拟研究，李卓，夏晓川，利用SRIM软件模拟了在不同注入角度、注入能量和注入剂量的条件下，N离子在SiC材料中的分布。根据对模拟结果分析发现，随着注入角度�
2021-11-08 20:38:43
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行业制造-电动装置-多个电极大气等离子体加工碳化硅密封环类零件的方法.zip
2021-09-09 18:03:26
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2021-09-09 13:03:46
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