行业资料-电子功用-用于分散与降低非易失性储存装置峰值电流与功耗的方法.pdf.zip

行业资料-电子功用-改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法.pdf.zip

行业分类-电子电器-一种易失性与非易失性共存的忆阻器件及制备方法及备选制备方法.zip

聚合物驻极体厚度对并五苯非易失性场效应晶体管存储器电荷俘获性能的影响

PMMA隧道介电层的多Kong结构对非易失性浮栅有机场效应晶体管存储器件性能的影响

基于并五苯/三（8-羟基喹啉）铝异质结晶体管的有机非易失性存储器

具有全局能量迁移的太阳能非易失性传感器节点的最后期限感知任务调度

诸如相变存储器（PCM）和忆阻器之类的非易失性存储器正在积极研究中由于其特性，可作为嵌入式系统中基于DRAM的主存储器的替代品， 包括低功耗和高密度。 虽然PCM是最有前途的候选人之一商用产品可用，其有限的写入耐久性极大地降低了其采用率。 作为主存储器是访问量最大的组件之一，延长PCM的寿命至关重要。 在本文中，我们介绍了可感知写活动的页表管理（WAPTM），这是一种简单而有效的方法页表管理方案，用于通过重新设计系统软件来减少不必要的写入和利用硬件提供的可识别写入活动的功能。 我们在Google Android中实现了WAPTM 基于ARM体系结构，并使用真实的Android应用程序对其进行了评估。 实验结果表明WAPTM可以显着减少页表中的写入次数，证明了WAPTM的可行性和潜力通过减少OS级别的写操作来延长基于PCM的主存储器的寿命。

FM24C04B是一种采用先进铁电工艺的4K字节非易失性存储器。铁电随机访问存储器(FRAM)是非易 失性的， 可如RAM一样进行读写操作。 数据能可靠保留38年，同时可消除由EEPROM和其它非易失性存储 器引起的复杂性、 资源开销和系统级可靠性问题。 FM24C04B以总线速度执行写操作， 且不会发生延迟。数据成功传输到器件后， 会在（ 总线） 周期内 写入内存阵列， 下个总线周期可立即开始，而无需进行数据轮询。 FM24C04B可支持1012个读/写周期， 或比EEPROM多100万次的写周期。 注：本文档是根据英文版本翻译而来，若存在不清楚或错误之处，请参考英文版本。

DS3070W是Dallas公司最新推出的单片、内含实时时钟的非易失性静态存储器。该器件内部集成了16 Mb NV SRAM、非易失性控制器、实时时钟和一个锂锰（ML）可充电电池。介绍了DS3070W的性能特点及工作原理，给出了它与AT89C51的典型应用电路及子程序。