忆阻器，即第四电路元件，是Chua在1971年从理论上预测的，并已于2008年实现。但是，随着忆阻器的广泛应用，传统的忆阻器模型面临着更多的挑战，例如实用性，准确性和灵活性。 本文提出了一种基于公认的经典Simmons隧道模型的准确而灵活的阈值自适应忆阻器（TEAM）模型，该模型考虑了焦耳热效应引起的离子扩散。使用改进的控制方法进行存储。 结果表明，该方法提高了非易失性忆阻图像处理中并行处理的效率。

忆阻器的广义数学模型

基于忆阻器的连续学习混沌神经网络

基于忆阻器-CMOS 的通用逻辑电路及其应用

Matlab忆阻器memristor-nature06932_2008_453_80.pdf 作为Matlab初学者，好多东西要学习。 源代码可以实现忆阻器的I-V曲线，但显然不够灵活，必须手动调整参数。 现在想将其中的参数ratio，v0，ω0变成可调节范围的， 还不知道怎样做，如果将参数直接放入方程不知能解不， 如果能解，在获得结果s后，怎样把参数换成数值，貌似subs函数，只能替换t。 希望有心人一起扩展此程序，在网上有mathematica实现的例子 http://demonstrations.wolfram.com/CurrentVoltageCharacteristicsOfAMemristor/ 我的下一步是做GUI，并实现动画。希望做的更好。

忆阻器有多种型号。 在给定的理想忆阻器忆阻器模型中，给出了具有Joglekar窗和Prodromakis窗的忆阻器非线性边界漂移模型。 通过取消注释所需的窗口方程并注释掉其他窗口方程，我们可以选择上述模型之一。

研究了惠普忆阻器的电荷控制和磁通量控制模型,构建了忆阻器的 Simulink 模型,给出了相应的仿真结果 .设计了一种基于 MATLAB 的图形用户界面,能直观地展示忆阻器特性 . 通过该界面,可以选择或设定输入电压的类型、参数及忆阻器模型的参数,简单方便地观察对应的输出结果,为人们更直观地学习和研究忆阻器提供一种有效的方法 .

为了使忆阻器具有与其他器件相结合的能力，本文在惠普实验室提出的忆阻器物理模型电路关系的基础上，在Simulink中用二种方法对忆阻器进行了双端口建模，方便准确的实现了对于忆阻器的仿真。与编写M文件、构建图形用户界面和搭建输入输出模型的建模方法相比。基于Simulink的双端口模型不仅能够方便准确的观察忆阻器的输入输出特性，而且具有更广阔的应用范围，对于忆阻器的研究有一定的指导作用。

首先推导了两个基于磁控忆阻器模型的串联忆阻器的特性及磁通电荷关系, 然后通过使用这个忆阻系统获得一个新颖的四维超混沌系统, 它有两个正的李雅普诺夫指数． 通过观察各种混沌吸引子、 功率谱和分岔图可看到丰富的动力学现象． 最后, 建立了模拟该系统的SPICE电路． SPICE仿真结果与数值分析一致, 这进一步显示了该超混沌系统的混沌产生能力

记忆电阻器或忆阻器是除传统元件 R、L 和 C 之外的第四种基本无源非线性元件。忆阻器是 LO Chua 于 1971 年发现的，但最近被 HP 实验室的研究人员发现。 预计它将不仅在文献上而且在纳米电子行业中都将发生巨大的变化。 这是在 Simulink/Matlab 中运行的忆阻器的模拟，并使用 Dmitri B. Strukov 等人最近发表的两篇论文中给出的参数值构建。 自然和 Yogesh N. Joglekar 等人在欧洲物理学杂志上。