哈工大微电子 复试指导 方便大家更有针对 的进行考研复试的准备
2021-12-17 17:45:56 29KB 哈工大 微电子 复试
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拉扎维 写的 的射频微电子 射频微电子学(影印版)拉扎维 写的 的射频微电子 射频微电子学(影印版)拉扎维 写的 的射频微电子 射频微电子学(影印版)拉扎维 写的 的射频微电子 射频微电子学(影印版)拉扎维 写的 的射频微电子 射频微电子学(影印版)拉扎维 写的 的射频微电子 射频微电子学(影印版)
2021-08-25 23:27:25 7.21MB 拉扎维 写的 的射频微电子
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Razavi射频微电子学(中文版) Razavi射频微电子学(中文版) 清晰版
2021-08-21 15:04:28 1.33MB 射频微电子学;Razavi;电子学
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微电子学概论电子书 pdf格式 张兴 北京大学出版社
2021-06-27 09:48:13 7.59MB 微电子
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本科微电子学MEMS总结,本科微电子学MEMS总结。
2021-05-11 17:58:00 12.04MB MEMS
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《微电子学概论》P-n结.pdf
2021-05-10 14:00:29 340KB 微电子
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设计了一种可用于射频前端芯片供电的高电源抑制比(PSR)无片外电容CMOS低压差线性稳压器(LDO)。基于对全频段电源抑制比的详细分析,提出了一种PSR增强电路模块,使100 kHz和1MHz处的PSR分别提高了40 dB和30 dB;加入串联RC补偿网络,保证了电路的稳定性;在LDO输出至误差放大器输入的反馈回路引入低通滤波模块,降低了由于输出端接不同负载对反馈回路的影响。电路采用UMC 65 nm RF CMOS工艺进行设计和仿真,整个芯片面积为0.028 mm2,仿真结果表明,本文设计的LDO的相位裕度为86.8°,在100 kHz处,PSR为-84.4 dB,输出噪声为8.3 nV/[Hz],在1 MHz处,PSRR为-50.6 dB,输出噪声为6.9 nV[Hz],适合为噪声敏感的射频电路供电。
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Behzad Razavi 所著的《射频微电子学》,将无线通信电路系统的描述、器件特性及 单元电路分析融合在一起,使读者能对射频电路的IC 实现有一个完整的概念。
2020-03-15 03:02:24 1.42MB RF
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拉扎维的《射频微电子学》(RF Microelectronics)中文版- 资料共享 ...拉扎维的《射频微电子学》(RF Microelectronics)中文版- 资料共享 ...拉扎维的《射频微电子学》(RF Microelectronics)中文版- 资料共享 ...拉扎维的《射频微电子学》(RF Microelectronics)中文版- 资料共享 ...
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射频微电子学入门必读,深入浅出,经典书籍
2019-12-21 21:24:06 1.33MB 射频微电子学
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