射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备。与传统的行波放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要，使得功率放大器的研制变得十分重要。因此对该课题的研究具有非常重要的意义。 设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs、SiGe BiCMOS和CMOS等。GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力，但其价格昂贵，工艺一致性差；CMOSI艺的功率输出能力不大，很难应用于高输出功率的场合；而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAs和CMOS工艺之间，价格相对低廉并和CMOS电路兼容，非常适合于中功率应用场合。   本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现，分别使用了CMOS、SiGe BiCMOS、GaAs三种工艺。（1）由SMIC0．18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2．4GHz，采用了两级共源共栅电路结构，在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右，1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加效率PAE大于15％，最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20％，芯片面积为1．4mm*0．96mm；（2）由IBM5PAE0．35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5．25GHz，分为前置推动级和末级功率级，电源电压为3．3V，仿真结果为小信号增益28dB左右，1dB压缩点处输出功率大于26dBm，功率附加效率大于15％，最大饱和输出功率为29．5dBm，芯片面积为1．56mm*1．2mm；（3）由WIN0．15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27～32GHz，使用了三级功率放大器结构，在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率P1dB26dBm，增益在20dB以上，最大饱和输出功率为29．9dBm且PAE大子25％，芯片面积为2．76mm*1．15mm。论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程。对三种工艺实现的功率放大器进行了对比，并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。

很经典的书！系统，详尽.对学习射频电路和放大器设计有很大帮助

宽带射频功率放大器的鲁棒增强的，降低复杂度的广义记忆多项式

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射频前端芯片主要应用于智能手机等移动智能终端，其技术创新推动了移动通信技术的发 展，是现代通信技术的基础。射频前端模块（RFFEM：Radio Frequency Front End  Module）是手机通信系统的核心组件，RFFEM 的性能直接决定了移动终端可以支持的通 信模式，以及接收信号强度、通话稳定性、发射功率等重要性能指标，直接影响终端用户 的通信质量。 射频前端模组介于天线部分与收发组件之间。手机射频前端主要包括功率放大器（Power  Amplifier）、天线开关（Antenna Switch）、滤波器（Filter）/双工器（Duplexer）、低噪声 放大器（LNA）等器

本文通过对射频功率放大器所采用的三种主要工艺技术进行的简要比较，指出未来的发展趋势在于采用SiGe工艺技术来制造射频功率放大器，这是无线电电子系统设计工程师需要关注的技术趋势。

通信电子线路实验报告，已完成，可供后来人参考~

基于ADS软件的射频功率放大器仿真实现

摘要：射频功率放大器要输出一定的功率给负载，利用负载牵引技术可以弹性地找到所需 功率的负载点。这里描述了基于负载牵引技术的5.2-GHz WLAN 的功率放大器的设计方法， 采用CMOS 工艺设计了放大电路，接着对该放大电路进行负载牵引，在此基础上设计输入 输出匹配网络，最后使用ADS 软件进行整体仿真，得到了满足系统指标要求的功率放大器。 　　功率放大器处于通信系统中信号发射机的最末端，用来放大信号，与小信号放大器不同， 它要输出一定的功率给负载。效率是功率放大器的一个基本指标，就非恒包络调制方式而言， 包络中携带有用信息，因此又需要功率放大器具有一定的线性度。射频功率放大器工作在大 信号

这是 H. Enzinger、K. Freiberger 和 C. Vogel 在 IEEE 电路和系统国际研讨会上发表的论文“射频功率放大器的联合线性效率模型”中提出的模型的实现(ISCAS), 2016。论文可从以下网址下载： www.researchgate.net/publication/290446251