Philip天线(单端)设计匹配参数计算专用工具 用于PN512，RC522等芯片 天线的阻抗匹配调节

提出了一款应用于超高频段(Ultra High Frequency,UHF)(912~935 MHz)的射频识别(RFID)读写器圆极化单层结构微带天线,基板采用FR4板材达到价格低廉、辐射贴片采用开槽的结构实现小型化、接地板采用开槽结构提高天线的增益,该天线实现了小型化设计,满足了天线的设计要求。利用三维电磁仿真软件对天线模型进行了分析,仿真与测试结果吻合良好。天线测试结果表明:回波损耗小于-10 d B的阻抗带宽为25 MHz(910~935MHz),轴比(AR)小于3 d B的带宽为21 MHz(914~935 MHz);在UHF频段内,读写器天线的最大增益为-1.2 d B,所以本天线能满足我国射频识别读写器的应用要求,具有良好的应用前景。

Ka波段是毫米波频段中的一部分，本文针对Ka波段设计了三种微带天线，工作 频率均为35GHz。并且为了测试的需要，设计了波导一微带过渡结构，即天线由一段 微带线激励，而这段微带线的下端从波导宽边中线上所开的小槽伸入波导腔中作为波 导的探针激励。

RFID是一种利用射频通信实现的非接触式自动识别技术，它包括电子标签(tag)和读写器(reader)两个主要部分，附有编码的标签和读写器通过天线进行无接触数据传输，以完成一定距离的自动识别过程。RFID标签天线作为RFID系统的重要组成部分，在实现数据通讯过程中起着关键性作用，因此天线设计是整个RFlD系统应用的关键。

本文首先研究了一种可用于Ku波段卫星通信的宽频带双极化微带天线阵的设 计。双极化微带单元采用两个相互垂直的“H”形槽耦合馈电的结构，天线两种正交 的线极化状态分别由两个。H”形口径产生。结果显示这种结构的天线频带宽、隔离 度高，交叉极化性能也很好。然后利用此双极化单元分别设计了并联馈电及串联馈电 的八元均匀直线阵。之后还设计了两种方式馈电的低副瓣电平一维阵列，详细介绍了 不等分馈电网络的设计，仿真的结果表明，天线阵性能满足设计要求。此后，基于阵 列天线的基本理论，详细分析了以八元一维阵为子阵的平面阵。 本文另一部分主要的工作是基于遗传算法的阵列天线综合，遗传算法以其独特的 优点，很适合于解决天线阵综合这类复杂的非线性优化问题。本文在遗传算法原理和 传统综合方法的研究基础上，重点研究了实数遗传算法在阵列天线低副瓣综合、方向 图赋形综合和方向图置零这三类综合问题中的应用，并给出了不同条件下的仿真算 例，计算结果表明，基于遗传算法的阵列综合达到了很好的效果。

天线设计的时候常用到不同材料的不同介电常数，在其中可快速搜索到自己所需的材料参数，其中有多数为常用介质材料。

摘要：设计了一种采用微带馈电的平面超宽带天线，并在该超宽带天线的基础上，通过在微带馈线的旁边加载U形寄生单元的方式，在3.1~10.6 GHz的通带内实现了3个频段的带陷特性。 　　本文所设计的天线采用Rogers RT/duroid 5880为基板，整体尺寸仅为23 mm×13 mm×0.508 mm,具有易加工、便于集成的特点。仿真和测试结果表明该天线在3.25~3.6 GHz,5.1~5.9 GHz和9.5~9.9 GHz处形成3个陷波频段，适合于超宽带系统的使用。 　　0 引言 　　随着2002年美国联邦通信委员会（FCC）通过决议批准将3.1~10.6 GHz的频率资源用于商业

手机，平板等wifi bt天线设计指南， 作为射频工程师过来人，分享点之前收集的文档给大家， 让新人快速入门

本文设计的X波段宽带微带阵列天线的天线单元即是采用这种缝隙耦合馈电的双层微带天线。为了减小背向辐射，采用带状线作为天线单元的馈电线和阵列的馈电网络。

关于表面波的抑制 在微带天线中，除了直接辐射之外，还可以激励表面波，从而产生轴向辐射。因此，在设计中必须给予考虑。这些表面波是TM型和TE型，它们传播到微带贴片之外的基片中。当沿微带贴片传播的准TEM波相速接近于表面波相速时，就出现了波间的强耦合。这类表面波耦合的最低频率确定了微带天线工作频率的上限。 最低次TM模的截止频率没有下限，高次模（TMn和TEn）的截止频率为 式中，c是真空中的光速；n=1，3，5，…（TEn模），或n = 2，4，6…（TMn模）。对于TE1模，以duroid（r = 2.32）和氧化铝（r = 10）为基片时，h / c（c为截止波长）的计算值分别为0.217和0.0833。因此，最低次TE模对于0.16cm厚的duroid基片，在约41GHz上可以激励起来，对于0.0635cm厚的氧化铝陶瓷基片，在约39GHz上可以激励起来。 由于TM0模的截止频率没有下限，所以，在开路微带天线上，总能激励到相当程度，甚至在介电常数较低而且非常薄的基片上，也能以近于光速的相速传播起来。计算表明，当h / 0 > 0.09（r  2.3的基片）和h / 0 > 0.03（r  10的基片）时，表面波的激励就相当可观了。因此，一般来说，在特定的应用中，如果按照上面的表面波抑制条件来选择基片，表面波的影响就可不必考虑。