很多应用都需要差分信号，以获得较高的信噪比，提高对共模噪声的抑制能力，并获得较低的二次谐波失真，例如驱动调制解调器ADC、通过双绞线电缆传输信号，以及高保真音频信号的调整等。这就要求有一种可以将单端信号转换为差分信号的电路，即单端-差分转换器。 对很多应用而言，AD8476内置的小功率全差分精密放大器就足够完成单端-差分的转换功能。但对于需要更高性能的应用，可以将一只OP1177精密运放与AD8476相级联，如图所示。这种单端-差分转换器有高的输入阻抗、（最大）2nA输入偏移电流及相对输入端的（最大）60μV偏移电压和（最大）0.7μV/℃电压偏移。 图1 : 调节R F与R G的比值，就可以设定这个单端-差分转换器。 图1中电路是一种双放大器反馈结构，其中运放决定了电路的精度以及噪声性能，而差分放大器则扮演了单端-差分转换功能。这个反馈结构抑制了AD8476的误差，包括噪声、失真、偏移、漂移，它用运放的大开环增益替代了AD8476内部的运放反馈回路。本质上，这个结构是采用运放针对输入端的开环增益，衰减了AD8476的误差。 图中的外接电阻R F和R G设定单端-差分放大器

非隔离型开关电源一般有三种基本工作方式，降压型、升压型、极性反转型三种，而其他的都是这三种形式转换而来，例如反激式、正激式、推挽式、半桥式、全桥式。1、降压型电路如下图为降压型电路。在此电路中，脉宽调制（pwm）电路的输出加到晶体管开关Q1的基极，以控制其导通和截止。工作过程：①当开关导通时，输人量可以传递到输出端；②开关截止时，则被隔断。这种脉冲状的能量传递经变换和滤波形成平滑的电压输出。pwm电路将它的变化转变成能控制开关导通和截止时间之比的pwm信号，达到稳定的目的。 2、升压型电路如图是升压型电路。工作过程：①开关管Q1导通时，扼流圈L1储能。这时il＝uin/lt（t为扼流圈导通时间）。设导通结束时的电流为il，因此，储能为e＝0.5i2l。Q1截止后，il将从il开始减少，在L上感应出左低右高的自感电动势。这个电动势叠加在uin上，二者一起通过vd给电容器c充电并向负载供电，得到比输人电压高的输出电压。②Q1导通期间，电容器MC1单独向负载供电，这时，D1阳极电位低于阴极而处于截止状态，防止了电容反向放电。 3、极性反转型电路如下图为极性反转型电路，也叫倒置型电

常常发现硬件工程师对电磁兼容性（EMC）基础知识了解甚少，小编就在此借花献佛，汇总一些电磁兼容性（EMC）的知识点。

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电子电路的设计基本步骤……

计算机网络等教科书中知识均为理论，这里知识均为实操

1、频繁插拔电时，PIC单片机容易死机。用一个10K电阻并在LM7805的5V输出端到地。 2、单片机的复位端的电容不能太大。 使用PIC单片机去设计工控电路，最头痛的问题，就是 PIC 单片机在受干扰后经常硬件死锁，大部份人归咎于“CMOS的可控硅效应” 因而产生死锁现象，一般都认为“死锁后硬件复位都是无效的，只有断电”。但是一个成熟的商品，那须要你去断电呢？ 就好像一台电冰箱，压缩机一启动，产生干扰，CPU受干扰因而‘硬件死锁’，死机在那儿，假如发现了，可以马上拔掉电源插头，隔几秒再插回，如此的动作可以接受吗？ 假如死机时没发现，死机几十天，你猜它会如何呢？ 应该是供给CPU电源的稳压IC烧毁了。 PIC单片机为什么会硬件死锁，PIC单片机在受干扰后经常硬件死锁，那么PIC要‘看门狗’有何用，有没有人深入去探讨其原因，在各 PIC 单片机论坛也提得很多，各有各的观点，总具体的原因不外是“CMOS的可控硅效应”而产生死锁现象， 依我各人的观点，应与 “CMOS的可控硅效应”无关，但很多大虾皆认为是“CMOS的可控硅效应”所引起的，所以一直以来我也不方便提出，说不定是我的观点

1、串行转并行 引脚图 逻辑框图 2、功能注释 芯片主要分为移位寄存器和锁存寄存器两大部分。移位寄存器存储串行输入的数据，锁存寄存器锁存移位寄存器内的数据。 1)SHIFT CLOCK:移位时钟输入引脚，上升沿将数据串行输入; 2)SERIAL DATA INPUT:串行数据输入引脚; 3)RESET:清空移位寄存器中数据，低电平有效; 4)LATCH CLOCK:锁存寄存器时钟输入引脚，上升沿将数据完成锁存; 5)OUTPUT ENABLE:输出允许引脚; 3、应用 最多见的用于8 * 8 点阵LED的驱动。

1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。2.负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。3.一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。4.负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。晶振旁的电阻(并联与串联)一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电

1.CMOS电平： '1'逻辑电平电压接近于电源电压，'0'逻辑电平接近于0V。噪声容限很大 2.TTL电平： 输出高电平>2.4V,输出低电平<0>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。 3.电平转换电路： 因为TTL和COMS的高低电平...