功率MOSFET基础知识分享.pdf

1. 引言 　　本文设计的50MHz/250W 功率放大器采用美国APT公司生产的推挽式射频功率MOSFET管ARF448A/B进行设计。APT公司在其生产的射频功率MOSFET的内部结构和封装形式上都进行了优化设计，使之更适用于射频功率放大器。下面介绍该型号功率放大器的电路结构和设计步骤。 　　2．50MHz/250W射频功率放大器的设计 　　高压射频功率放大器的设计与传统低压固态射频功率放大器的设计过程有着显著的不同，以下50MHz/250W功率放大器的设计过程将有助于工程技术人员更好的掌握高压射频功率放大器的设计方法。 　　2.1射频功率MOSFET管ARF448A/B的特点

TC4426A/TC4427A/TC4428A 双路高速功率 MOSFET 驱动芯片

瑞萨科技公司宣布推出包括5 W输出RQA0002在内的三种高频功率MOSFET，用于手持式无线电设备及类似设备中的传输功率放大，通过使用新工艺和新封装，实现了高效率*1、并大大减小了封装的尺寸。 在2005年5月，将在日本开始无线电天线1 W输出RQA0001的批量生产，在7月份开始5 W 输出RQA0002的批量生产，在4月22日开始3 W 输出RQA0003的批量生产。 这些新产品的主要特性如下。 (1) 在低电压下实现高效率 由于大多数商用和休闲用无线电设备是手持式的，要求高频功率MOSFET提供适合电池驱动和高效率的低压操作，使通信时间可以延长。通过使用新工艺，这三种产品在3.6

本文给出了计算mos管的功耗以及确定工作温度的步骤。

LTspice Infineon NMOS库 更新： LTspice英飞凌NMOS库是一个半完整的英飞凌功率N沟道MOSFET套件，最高功率为950V，截至2021年1月的电流。 它缺少功率模块，双MOSFET等奇数符号。 它使用Infineon的公共库，但包含本机LTSpice符号，从而易于使用和安装。 如果可用，它将使用其本机LTSpice库，但如果不使用，则将使用PSpice库。 LTSpice的PSpice库没有问题。 不幸的是，没有包含加密符号，但是只有少数英飞凌模型使用加密，因此这并不是一个太大的问题。 当前的型号和符号计数： 3849个N沟道MOSFET和计数。 安装 下载。 解压缩下载的文件。 苹果系统： 复制LTspiceInfineonNMOSLibrary/sym/InfineonNMOS文件夹进入~/Library/Application\ Suppo

行业资料-电子功用-具有电压维持区域并从相反掺杂的多晶硅区域扩散的高电压功率MOSFET.pdf.zip

安森美半导体推出能降低损耗的低压功率MOSFET新系列,以达到业界更高能效的需求.pdf

本文以Dickson电荷泵的基本原理为出发点．研究了一种将正电压输入转为负电压输出的开关电容电路。由于开关电容的充放电特点．为确定电容时间常数．采用非交叠(nonoverlapping)时钟控制信号．避免了由于时钟交叠而造成的电容充电还未完成即对下一级电容进行放电的现象。同时，参考功率MOSFET的电容模型．通过增大驱动电路的电流减小了开关管的上升延时，提高了开关动作的速度．使转换效率得到明显提高。此电路结构简单、性能代良、易于集成．可广泛应用于输出负电压的电源产品中。

采用功率MOSFET及其驱动器和光纤收发器件，研究了激光触发开关脉冲功率源控制技术中的快上升沿(≤5 ns)触发信号产生、驱动、传输及光纤隔离、高耐压脉冲变压器使用等关键技术。给出了激光器外触发控制电路的设计及测试结果，并对其应用特点进行了分析和讨论。