AB类音频功率放大器的设计_陈晓光.caj

摘要：介绍了一种分析同轴线变换器的新方法，建立了理想与通用模型，降低了分析难度和简化了分析过程。通过研究分析，提出了一种同轴变换器与集总元件相结合的匹配电路设计方法，通过优化同轴线和集总元件的参数，实现放大器的最佳性能。利用该方法设计了一款应用于推挽式功率放大电路的匹配电路，仿真结果表明，匹配效率高达99.93%. 　　阻抗变换器和阻抗匹配网络已经成为射频电路以及最大功率传输系统中的基本部件。为了使宽带射频功率放大器的输入、输出达到最佳的功率匹配，匹配电路的设计成为射频功率放大器的重要任务。要实现宽带内的最大功率传输，匹配电路设计非常困难。本文设计的同轴变换器电路就能实现高效率的电路匹配。同

采用 0.25 μm GaAs pHEMT工艺研制了一款分布式功率放大器，详细介绍了电路设计和优化过程。通过增加低频交流终端,使得该放大器低频段的增益平坦度有明显的改善。仿真结果表明该放大器带宽约为30 GHz，小信号增益约为8.5 dB，1 dB压缩点输出功率约为21 dBm，功率附加效率最高能达到20%以上。

0  引  言 　　随着微波通信技术的发展，人们对通信系统的要求越来越高，比如小型化、可靠性等，微波单片集成电路(MMIC)凭借小型紧凑、稳定性好、抗干扰能力强、批量生产成本低和产品性能一致性好等特点成为军事电子对抗及民用通信系统最具吸引力的选择。赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)具有增益、噪声、功率方面更加良好的特性，成为微波与毫米波单片集成电路和超高速数字集成电路领域最具竞争力的有源器件之一，当前，PHEMT MMIC研究已经成为MMIC研究的一大热点。本文的功率放大器便是采用PHEMT工艺技术，设计要求工作频段在3～4 GHz左右，其工作带宽要求大于500 MHz，要求信号线性特性好

https://blog.csdn.net/weixin_44584198/article/details/129212457?csdn_share_tail=%7B%22type%22%3A%22blog%22%2C%22rType%22%3A%22article%22%2C%22rId%22%3A%22129212457%22%2C%22source%22%3A%22weixin_44584198%22%7D 国内的文章对于E类的分析往往限定于占空比为50%且严格满足0电压导数条件（ZVDS）。但是在实际的设计中我们可能需要设计占空比为其他数值的E类功放（降低导通角能提高效率性能），或者需要亚正常模式（不严格满足ZVDS条件）下的E类功放以提升其带宽性能。 然而，在高自由状态下的E类波形应该是怎么样的呢，其实在60年前就有学者给出了计算的的公式，但是其计算比较复杂且涉及各种方程的求解，在此我对其进行了分析，并写成了Matlab代码。

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op07的功能介绍：Op07芯片是一种低噪声，非斩波稳零的双极性运算放大器集成电路。由于OP07具有非常低的输入失调电压（对于OP07A最大为25μV），所以OP07在很多应用场合不需要额外的调零措施。OP07同时具有输入偏置电流低（OP07A为±2nA）和开环增益高（对于OP07A为300V/mV）的特点，这种低失调、高开环增益的特性使得OP07特别适用于高增益的测量设备和放大传感器的微弱信号等方面。

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绘制电路的原理图和PCB版图，要求图纸绘制清晰、布线合理、符合绘图规范；