完整英文版 IEC 60747-5-4：2006 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 5-4：Optoelectronic devices - Semiconductor lasers （半导体器件-分立器件-第5-4部分：光电子器件-半导体激光器 ）。涉及术语、基本等级和特性以及半导体激光器的测量方法。

完整英文版 IEC 60747-6：2016 Semiconductor devices - Part 6：Discrete devices - Thyristors（半导体器件 - 第六部分：分立器件 - 晶闸管）。IEC 60747-6:2016为以下类型的分立半导体器件提供标准。 - 反向阻断三极管晶闸管。 - 反向导通（三极管）晶闸管。 - 双向三极管（triacs）。 - 关断晶闸管。

完整英文版 IEC 60747-7：2010 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7：Bipolar transistors （半导体器件 - 分立器件 - 第7部分：双极晶体管 ）。IEC 60747-7:2010+A1:2019给出了适用于以下双极型晶体管的子类别的要求，不包括微波晶体管。 - 小信号晶体管（不包括开关和微波应用）。 - 线性功率晶体管（不包括开关、高频和微波应用）。 - 用于放大器和振荡器应用的高频功率晶体管。 - 用于高速开关和功率开关应用的开关晶体管。 - 电阻器偏置晶体管。

完整英文版 IEC 60747-8：2021 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8：Field-effect transistors（半导体器件 - 分立器件 - 第8部分：场效应晶体管）。IEC 60747-8:2010+A1:2021给出了以下类别的场效应晶体管的标准。 - A型：结点门型。 - B型：绝缘栅耗尽型（常开）。 - C型：绝缘栅增强型（常闭）。

完整英文版 IEC 60747-9：2019 Semiconductor devices - Part 9：Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) - 半导体器件 - 第9部分：分立器件 - 绝缘栅双极型晶体管（IGBTs）。IEC 60747-9:2019规定了绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的术语、字母符号、基本额定值和特性、额定值验证和测量方法的具体产品标准。

完整英文版 IEC 60747-14-4：2011 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 14-4：Semiconductor accelerometers（半导体器件-分立器件-第14-4部分：半导体加速度计）。IEC 60747-14-4:2011适用于所有类型产品的半导体加速度计。该标准不仅适用于内置电路的典型半导体加速度计，也适用于伴有外部电路的半导体加速度计。

完整英文版 IEC 60747-15：2010 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 15：Isolated power semiconductor devices（半导体器件 - 分立器件 - 第15部分：隔离式功率半导体器件）。IEC 60747-15:2010给出了对隔离式功率半导体器件的要求，不包括带有控制电路的器件。这些要求是IEC 60747其他部分对相应的非隔离式功率器件的补充。

分立器件行业投资策略：行业景气高增长，国产替代正当时.pdf

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