我们曾在《设计实例》中阐述的一种简单方法,可以在一个预定的时间后自动关断电池,以延长电池寿命(参考文献1)。本《设计实例》介绍一种更简单的能完成相同功能的方法(图 1)。四重双输入NAND施密特触发器IC1的两个门组成一个改进的触发器。当电路加上9V电池电压时,IC1A的输出变为高电平,因为C1上的初始电压为零。IC1B的输出变为低电平,并通过R2反馈到IC1A。C3通过R3充电。IC1C的输出变为高电平,因为R6接地。P沟道MOSFET开关Q1关断,IC1D输出变为高电平,并通过R2给C4充电。  当按下瞬动开关S1时,由于IC1A的两个输入端均为高电平,其输出就变为低电平,从而迫使IC1B
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在带变压器的开关电源拓扑中,开关管关断时,电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分,同时,由于电路中存在杂散电感和杂散电容,在功率开关管关断时,电路中也会出现过电压并且产生振荡。如果尖峰电压过高,就会损坏开关管。同时,振荡的存在也会使输出纹波增大。为了降低关断损耗和尖峰电压,需要在开关管两端并联缓冲电路以改善电路的性能。缓冲电路的主要作用有:一是减少导通或关断损耗;二是降低电压或电流尖峰;三是降低dV/dt或dI/dt。由于MOSFET管的电流下降速度很快,所以它的关断损耗很小。虽然MOSFET管依然使用关断缓冲电路,但它的作用不是减少关断损耗,而是降低变压器漏感尖峰电压。本文主要针
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2021-09-11 10:01:41 490KB
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本文较深入地讨论了两种常用模式的RCD Snubber电路:抑制电压上升率模式与电压钳位模式,详细分析了其各自的工作原理,给出了相应的计算公式,最后通过实验提出了电路的优化设计方法。
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IGBT 自关断介绍
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