完整英文版 IEC 60747-5-9：2019 Semiconductor devices：Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of the internal quantum efficiency based on the temperature-dependent electroluminescence （半导体器件：光电子器件 - 发光二极管 - 基于随温度变化的电致发光的内部量子效率测试方法 ）。IEC 60747-5-9:2019(E)规定了无荧光粉的单个发光二极管（LED）芯片或封装的内部量子效率（IQE）的测量方法。用于照明的白光LED不属于本文件的范围。本文件利用在低温和工作温度下测量的相对外部量子效率（EQE），这被称为温度依赖性电致发光（TDEL）。为了确定100%的参考IQE，通过改变环境温度和电流找到EQE峰值的最大值。

完整英文版 IEC 60747-5-11：2019 Semiconductor devices - Part 5-11：Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of radiative and nonradiative currents of light emitting diodes（半导体器件 - 第5-11部分：光电子器件 - 发光二极管 - 发光二极管的辐射电流和非辐射电流的测试方法）。IEC 60747-5-11:2019(E)规定了单个发光二极管(LED)芯片或无荧光粉封装的辐射电流和非辐射电流的测量方法。用于照明的白光LED不属于本文件的范围。本文件利用内部量子效率（IQE）作为电流的函数，其测量方法在其他文件中讨论。

光电子器件模型与OEIC模拟电子书，LED模型，LD模型，探测器模型

利用聚合物/SiO2混合材料脊形波导结构以及化学气相沉积(CVD)、涂膜和湿法刻蚀等工艺,设计并制备了一种低功耗马赫-曾德尔干涉(MZI)热光开关。测试了波导芯层和包覆层材料的色散特性,模拟分析了器件的输出功率和光谱性能。以可调谐激光器作为光源,实验测试了所制备器件的开关、响应和光谱特性。在1 550nm中心波长下,器件的开关功耗约为7.8mW,ON与OFF状态间的消光比达32.6dB。在纯净方波驱动电压信号(峰峰值为3 Vpp)作用下,测得器件的上升和下降时间分别为107和71μs。保持器件在1 550nm波长下的驱动功率不变,测得器件的输出光谱约为50nm(1 520～1 570nm),且...

半导体光电子器件的课件 主要介绍： 半导体光电子器件物理基础； 半导体光电探测器； 半导体光电池； 半导体电荷耦合器件（CCD）； 半导体激光器（LD）； 半导体发光二极管（LED）。