（中南大学机电工程学院，湖南 长沙410083）摘 要：对ADAMS的求解原理进行了简单介绍并运用ADAMS仿真软件分别建立了两种结构对应的虚拟仿真模型，对减振系统分别无主动控制和有主动控制进行了仿真研究。以光刻机为代表的集成电路设备是光、机、电一体化的高精尖产品，其设计和制造集中体现了相关学科中最高水平的研究成果，如对光学镜头表面轮廓的纳米级测量与误差补偿、亚纳米级粗糙度表面的加工，镀膜材料和工艺、运动平台的那米级定位、设备运动环境（振动、温度、湿度、粉尘等）的控制等提出了极高的要求[1-2]。光刻机超精密工件台是光刻机的核心部件之一，其运动精度直接影响光刻机的分辨力，速度和加速度影响光刻机

光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。

ASML光刻机介绍

机械设备行业周报：国际光刻机龙头订单火爆，动力电池厂商加速扩产，关注半导体、锂电设备需求释放.pdf

光刻机（NIKON）的设计与结构

科技冠军系列报告（二）：摘取光刻机皇冠上的明珠——ASML.pdf

光刻机重中之重，前道设备居首位。光刻机作为前道工艺七大设备之首（光刻机、刻蚀机、 镀膜设备、量测设备、清洗机、离子注入机、其他设备），价值含量极大，在制造设 备投资额中单项占比高达23%，技术要求极高，涉及精密光学、精密运动、高精度环 境控制等多项先进技术。光刻机是人类文明的智慧结晶，被誉为半导体工业皇冠上的 明珠。  冲云破雾，国产替代迎曙光。目前全球前道光刻机被ASML、尼康、佳能完全垄断 ,CR3高达99%。在当前局势下，实现光刻机的国产替代势在必行，具有重大战略意义 。在02专项光刻机项目中，设定于2020年12月验收193纳米ArF浸没式DUV光刻机， 其制程工艺为28纳米。考虑到此项目作为十三五目标，未来具有较大的明确性，结合 28nm作为当前关键技术节点的性能和技术优势，我们认为光刻机国产替代将迎来新 的曙光，尤其是IC前道制造领域，将初步打破国外巨头完全垄断的局面，实现从0到1 的突破。  按图索骥，追根溯源寻标的。通过对即将交付的28nm光刻机进行剖析，建议关注以 举国之力助力国产替代的光刻产业链，一是光刻机核心组件：负责整体集成的上海微 电子、负责光源系统的科益虹源，负责物镜系统的国望光学，负责曝光光学系统的国 科精密，负责双工作台的华卓精科，负责浸没系统的启尔机电；二是光刻配套设施： 包括光刻胶，光刻气体，光掩模版，光刻机缺陷检测设备，涂胶显影设备等。

光刻机双工件台实时系统软件设计

光刻机精细对准方法研究，阅读需要用CAJ格式的阅读软件打开

光刻机对准关键技术，基于二维Ronchi光栅的纳米光刻对准技术，超高精度对准系统