压敏电阻的概念 压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性,当过电压出现在压敏电阻的两极间,压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值,从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有:压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。 压敏电阻的响应时间为ns级,比气体放电管快,比TVS管稍慢一些,一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千Pf的数量级范围,很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中,应用在交流电路的保护中时,因为其结电容较大会增加漏电流,在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大,但比气体放电管小。压敏电阻器简称VDR,是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。 压敏电阻的基本性能 1)保护特性,当冲击源的冲击强(或冲击电流Isp=Usp/Zs)不超过规定值时,压敏电阻的限制电压不允许超过被保护对象所能承受的冲击耐电压(Urp)。 (2)耐冲击特性,即压敏电阻本身应能承受规定的冲击电流,冲击能量,以及多次冲击相继出现时的平均功率。 (3)寿命特性有两项,一是连续工作电压寿命,即压敏电阻在规
2024-04-01 19:04:50 235KB 压敏电阻
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30Na2O-2Al2O3-25 SiO2-xCeO2(43-x)B2O3系统中复杂玻璃的微观结构,x的变化范围为0.5至20 mol%。 通过11B NMR和FTIR光谱对高氧化铈含量(≥8 mol%CeO2)的玻璃进行结构测定。 另一方面,几乎没有将29Si MAS NMR实验应用于CeO2> 8 mol%的玻璃。 这是由于铈阳离子引起的顺磁作用引起稀释或延迟了共振现象。 从NMR数据证明,氧化钠足够高以修饰构成玻璃骨架的玻璃形成单元。 二氧化铈以及二氧化硅和B2O3均是玻璃形成物质。 硼四面体单元(N4)分数的降低和硅核的化学位移(δ)的降低都证实了CeO2作为玻璃形成剂的作用。 另一方面,随着CeO2含量(≥8mol%)的进一步增加,N4的快速减少和Si核的化学位移清楚地表明,氧化铈作为网络形成剂的参与能力随其含量的增加而增加。 应用新方法确定CeO4作为玻璃形成单元的比例。 在这种方法中,我们利用11B NMR和FTIR光谱的共同优势来获得Ce4馏分。 后者的种类不能通过NMR光谱确定,因为非常高的弛豫时间和二氧化铈的磁化强度会引起强烈的光谱展宽,从而阻止了共振光谱的出现。
2024-03-29 22:33:14 3.24MB 核磁共振光谱 新的方法
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我们分析了维数为D = 4N的时空中2N形式麦克斯韦场的非线性相互作用。基于Pasti-Sorokin-Tonin(PST)方法,得出了动力学的一般一致性条件,以同时考虑这两个明显的SO。 (2)对偶不变性和Lorentz不变性。 对于通用维D = 4N,我们确定这种情况的精确解的典范类,它表示D = 4中已知非线性对偶不变麦克斯韦理论的推广。结果表明,所得理论等效于相应的 Gaillard-Zumino-Gibbons-Rasheed(GZGR)提出的一类规范理论,其中对偶性只是运动方程的对称性。 在维D = 8中,通过对PST一致性条件的完整求解,我们得出了新的非规范的明显对偶不变四次相互作用。 相应地,我们也在GZGR方法中构造了新的非平凡的四次相互作用,并建立了与前者的等价关系。 在带电的强子对p布雷源存在下,我们揭示了两种方法的基本物理不等式。 我们方法的强大之处在于它的通用性,从而将非线性对偶不变麦克斯韦理论的构造简化为一个纯粹的代数问题。
2024-03-25 09:33:59 675KB Open Access
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AdS 4中较高自旋电流相互作用的形式是从Weyl 0形式扇形中的完全非线性较高自旋方程导出的。 明确确定了由标量和自旋轴建立的自旋一电流前的耦合常数以及Yukawa耦合。 所有其他高自旋电流相互作用的耦合均被隐式确定。 显示所有耦合都独立于非线性高自旋理论的相位参数。 顶点对较高自旋相位参数的适当全息依赖性显示为整体场上的边界条件所致。
2024-03-24 16:42:57 709KB Open Access
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我们考虑将3d爱因斯坦引力与Chern–Simons的三阶扩展之间的相互作用包括在内。 一旦将重力最小化地包含在三阶向量场方程中,该理论就被证明可以接受具有壳上消失协方差发散的对称张量的两参数系列。 规范能量动量已包含在该系列中。 对于一定范围的模型参数,该序列包括满足弱能量条件的张量,而
2024-03-23 14:00:12 381KB Open Access
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最近,Antoniadis,Konitopoulos和Savvidy已在Refs中引入。 [1-4]一种使用无阿贝尔规范势构造更高背景形式的无背景规范不变量的过程。 它们的构造特别有用,因为它可以用于奇数维和偶数维时空。 利用他们的技术,我们推广了Chern-Weil定理,并构造了一个规范不变的(2n + 2)维越界形式,并研究了它与Refs中引入的广义Chern-Simons形式的关系。 [1,2]。
2024-03-23 13:55:54 300KB Open Access
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物联网是新一代信息技术发展的重大方向,具有广阔的应用前景。然而,不少市民总感觉物联网这类高科技离自己很遥远,其实不然,物联网已渗透到我们生活中的方方面面。去年,江西电信率先建成江西省NB-IoT窄带物联网,同时,该省鹰潭成为了全国首个NB-IoT物联网城市。
2024-03-23 11:14:10 180KB 智能水表 课设毕设
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金钗石斛提取物的免疫增强作用,张冰洁,娄在祥,目的:通过体外细胞实验,研究金钗石斛提取物的免疫功效及相关作用机制。方法:不同浓度的金钗石斛提取物作用于体外培养的BALB/c小
2024-03-22 23:43:28 479KB 首发论文
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文章介绍了NFC芯片并介绍了它的作用
2024-03-22 22:03:10 56KB NFC芯片 NFC 技术应用
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将灰砂岩作为试验和研究对象,基于不同pH值、不同浓度、不同成分的水化学溶液的侵蚀作用,进行一系列的浸泡试验和三轴压缩实验,对比分析了不同水化学环境下灰砂岩的微细观结构特征、变形特性、强度损伤及其力学参数劣化机制。结果表明:水化学溶液的酸碱性越强、浓度越大,其对灰砂岩试件的腐蚀作用越强;化学腐蚀作用使灰砂岩试件有从脆性向延性转化的趋势,同时导致其力学参数劣化,相同条件下,黏聚力c的劣化程度大于内摩擦角φ,且在酸性溶液中的劣化程度大于碱性溶液;溶液中Ca2+,Mg2+浓度、试件的孔隙变化率η均与试件力学参数的劣化程度呈正相关关系,而试件相对质量差Δm与之相反,呈负相关关系;新定义的孔隙率损伤参量能够准确的表达试件力学参数随水岩化学作用的损伤演化过程。
2024-03-03 12:03:53 490KB 行业研究
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