通过对叠层非晶硅薄膜太阳能电池制备工艺流程的讨论, 提出了在玻璃基材上刻划透明导电氧化物(TCO)层, 非晶硅(a-Si∶H)层和背电极层时需注意的关键工艺, 合适的激光器性能参数以及加工参数, 并根据这些理论参数进行了工艺实验的验证。使用输出波长为1064 nm的调Q激光器和输出波长为532 nm的调Q倍频激光器作为光源, 采用自行设计的4路分光聚焦系统, 在1064 nm激光总功率为16 W, 单路功率为4 W; 532 nm激光总功率为3 W, 单路功率为0.75 W, 重复频率为40 kHz, 扫描速度为1.2 m/s的工作参数下得到了较理想的刻线, 同时提高了加工效率, 分析了刻划时

该文主要讨论了太阳能电池的数学模型、温度及光照变化时4个典型参数Voc、Isc、Vm、Im的计算方法及仿真结果。以无锡尚德3909电池在25 °C 1 000 W和4209电池在30 °C、 的测试数据为参考数据，分别给出了温度为25 °C时800 W、200 W和光照在1 000 W/m2时40和60 °C两种情况下基于数学模型的Voc、Isc、Vm、Im的计算结果和基于Matlab的仿真图形，分析了输出特性曲线随温度和光照变化的变化规律，结果表明计算及仿真结果和实际测试数据基本相符。

用于硅太阳能电池的太阳磷（POCl）扩散

研究了1 MeV和1.8 MeV电子辐照下GaInP GaAs Ge三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明, GaInP GaAs Ge三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1 MeV电子辐 照下剂量为1× 1015cm- 2时,与辐照前相比最大功率衰降了17.7%.暗I-V特性分析表明,高能电子辐照下三结电池 串、并联电阻的变化是引起太阳电池电学性能衰降的重要原因.光谱响应分析结果表明,GaInP GaAs Ge三结太阳电 池电学性能发生明显衰降的主要原因是其GaAs子电池的严重损伤造成的,而GaAs子电池的损伤主要表现为基区 底部光生载流子收集效率的明显衰降.提高GaInP GaAs Ge三结太阳电池抗辐照能力的关键在于尽可能地减小 GaAs子电池的基区损伤

太阳能电池板 simulink模型matlab

有关太阳能电池的MATLAB仿真，通过电路分析，导出I-V特性曲线

对于学习AMPS-1D是个很好的入门，文中有具体的参数设定。可以尝试着自己进行模拟。

关于MPPT的很好的资料 我可是付费花钱买来的啊，现在作为免费提供给大家赚点积分而已 MPPT BOOST BUCK 太阳能电池 光伏电池 By 清宇xyz9981 http://xyz9981.com(被墙了) http://xyz9981.info

本模型是通过MATLAB仿真软件搭建的光伏太阳能电池板数学模型，输出量根据输入的光照强度和温度变化。

太阳能电池MPPT研究用simulink仿真模型，Matlab2015b上可以正常运行，不需修改