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555nm（绿）。在夜晚，适应暗光的峰值下降到 513nm。表 6.1 展示了折射率测定中使用的 传统的线状谱，也是镜头设计者要用的。在此课程中我们将主要用 F,d,e 和 C。图 6.2 展示 了 这 些 线 状 谱 在 适 光 下 （ 白 天 ） 眼 睛 响 应 曲 线 中 的 位 置 。

在使用 COMSOL 进行了几天令人沮丧的工作后，我刚刚完成了这项工作，最终我意识到我的模型无法正常工作，更糟糕的是，我什至找不到导出几何数据以尝试其他程序的方法。 弄清楚如何从 Solid3 对象中获取几何体也很乏味，tnx 到 COMSOLish 函数文档！ 尚未经过测试，但在从 COMSOL 导出的 3 个 3D 对象上，重新导入确实有效。 希望这可以帮助任何人。 %%%%% MPH2STL(infile,outfile) 加载 mphbin/mphtxt 文件，绘制它并调用 Raw2stl 来保存 stl 文件。 绘图是必不可少的，因为三角几何是从绘图中获取的 MPH2STL(infile) 与上述相同，但将数据保存在 (infile without extension)+'stl' MPH2STL 或 MPH2STL([],outfile) 在工作空间中搜索几何对象（以链接模

电流的侧向限制对半导体激光器具有重要意义，在半导体激光器有源区加入侧向限制结构一方面可以实现侧向限制，另一方面可以在一定范围内降低阈值电流密度。但是常规的侧向限制方法无论是侧向波导结构还是浅隔离槽结构都无法高效地抑制电流的侧向扩展。设计了新型的深隔离槽结构，利用Comsol软件仿真模拟侧向限制，发现深度超过外延层厚度的深隔离槽结构能更有效地提高电流的注入效率。在工艺中利用感应耦合等离子体刻蚀在距离脊型台两侧100 μm的位置刻蚀深度为4 μm的深隔离槽。实验结果表明，工作电流为5 A时，腔长4 mm具有深隔离槽结构的半导体激光器芯片输出功率为 3.6 W，阈值电流为0.3 A,阈值电流密度为78.95 A/cm2。结果表明新型深隔离槽结构可以有效抑制电流的侧向扩展。

常规经典DLVO根据常规经典DLVO的胶体的相互作用能由非延迟的吸引力范德华相互作用和排斥静电相互作用能组成。 这些方程式适用于球体平板结构和恒定的表面电势。 将该DLVO称为“常规”，因为这些方程是在假设等效球体的Derjaguin近似框架内获得的。 这些方程在胶体科学中被广泛使用。

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